[发明专利]一种CSP光源的切割方法

权利要求书

1.一种CSP光源的切割方法，用于制作具有透明或半透明层的CSP光源，其特征在于：

所述方法依次包括扩膜工序、切割工序和扩晶工序，

扩膜工序，首先对未切割的CSP光源半成品基片进行加热并保温，所述未切割的CSP光源半成品基片包括若干呈阵列分布的芯片，以及以阵列分布的芯片为整体进行封装的封装层；然后对保温状态下的CSP光源半成品基片进行扩膜，使得CSP光源半成品基片整体处于拉伸状态；

切割工序，再采用冲切的方式对处于拉伸状态的CSP光源半成品基片进行冲切分离；

扩晶工序，最后对冲切后的CSP光源半成品基片进行扩晶，得到完全分离开的CSP光源；

所述扩膜工序中的加热与保温温度范围满足以下条件：

(1)将封装层的模量随其自身温度变化设为函数表达式：

M＝f(T)，其函数表达式M＝f(T)的二阶导数表达式为：

d²M/dT²＝df²(T)/dT²，其中，M为封装层模量，T为封装层温度；

限定上述函数表达式M＝f(T)形成的关系曲线中，温度T在高于封装层自身对应的玻璃转化温度T_g时，且封装层材料处于弹性橡胶体平坦区域，该弹性橡胶体平坦区域的起始点对应温度T＝T_L(min)，且T_L(min)为上述二阶导数表达式形成的关系曲线中的最高点，且三次导数等于零时所对应的温度值；

(2)T＝T_L(min)～T_L(max)，且T_g＜T_L(min)＜T_L(max)＜T_f，其中，T_g为封装层的玻璃化温度，T_f为封装层的粘流温度。

2.根据权利要求1所述的CSP光源的切割方法，其特征在于：所述切割工序中，将扩膜后的CSP光源半成品基片转移到平板上，并将平板加热至切割温度T_cut，且保持该温度不变，在该温度下采用冲切进行冲切分离。

3.根据权利要求2所述的CSP光源的切割方法，其特征在于：所述切割温度T_cut满足以下条件：

T_g＜T_cut＜T_f。

4.根据权利要求2或3所述的CSP光源的切割方法，其特征在于：所述的扩晶工序中，将整体切割后的CSP光源半成品基片倒模到白膜上，在扩晶机上进行扩晶，扩晶温度保持在50-90℃，且扩晶温度大于T_cut，扩晶后得到相互完全分离的单体CSP光源。

5.根据权利要求4所述的CSP光源的切割方法，其特征在于：所述CSP光源包括LED芯片本体以及覆盖在该LED芯片本体顶面及侧面的封装层。

6.根据权利要求5所述的CSP光源的切割方法，其特征在于：所述覆盖在LED芯片本体顶面的封装层层数为一层或一层以上。

7.根据权利要求5所述的CSP光源的切割方法，其特征在于：所述CSP光源上的封装层为透明或半透明材料。

8.根据权利要求7所述的CSP光源的切割方法，其特征在于：所述透明或半透明材料为硅胶、环氧树脂、PMMA或PC中的一种。

9.根据权利要求7所述的CSP光源的切割方法，其特征在于：所述的透明或半透明材料封装层中含有荧光粉。

10.根据权利要求1、2或3所述的CSP光源的切割方法，其特征在于：所述切割工序中，对处于拉伸状态的CSP光源半成品基片进行多次和多方向冲切。