[发明专利]一种栅控双极-场效应复合碳化硅LDMOS有效
| 申请号： | 201910471436.1 | 申请日： | 2019-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN110212033B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 段宝兴;董自明;杨银堂 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/16;H01L29/10 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 胡乐 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 栅控双极 场效应 复合 碳化硅 ldmos | ||
【权利要求书】：
1.一种栅控双极-场效应复合碳化硅LDMOS，包括：
半导体材料的衬底；
在所述衬底上生成的外延层；
在所述外延层上形成的基区和漂移区；
在所述基区上形成的基区接触和源区以及相应的沟道；
在所述漂移区上形成的漏区；
栅绝缘层，覆盖所述沟道以及漂移区靠近沟道的部分；
栅极，位于栅绝缘层表面；
源极，位于源区表面；
漏极，位于漏区表面；
其特征在于：
所述衬底和漂移区均为碳化硅材料，漂移区的掺杂浓度为1×1015cm-3；所述基区接触的掺杂浓度为1×1019cm-3，基区接触的表面形成基极，所述基极与源极隔离，与栅极电连接，基极与栅极之间的连接材料为半导体材料，使得基极接入电压时基极电位大于栅极电位，栅极接入电压时栅极电位大于基极电位，并满足：栅极接入电压时，基区获得的电压使得器件寄生的双极型晶体管开启。
2.根据权利要求1所述的栅控双极-场效应复合碳化硅LDMOS，其特征在于：连接基极与栅极的半导体材料为半绝缘多晶硅。
3.根据权利要求1所述的栅控双极-场效应复合碳化硅LDMOS，其特征在于：碳化硅材料衬底的掺杂浓度为1×1018cm-3～1×1019cm-3。
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