[发明专利]晶圆的加工方法

权利要求书

1.一种晶圆加工方法，其特征在于：包括如下步骤：

提供原始晶圆，包括图形面及相对的背面，该图形面具有由切割道隔开的芯片图案；

在该芯片图案的表面贴附保护膜；

对该原始晶圆的背面进行减薄操作，得到超薄晶圆；

在该超薄晶圆的背面贴附支撑膜，该支撑膜包括有机膜层、胶粘剂层以及离型膜层，该离型膜层在贴附到该超薄晶圆的背面之前被去除；

去除保护膜；

在该支撑膜的表面贴附切割胶带；

沿着图形面的切割道对该超薄晶圆进行切割，穿透该超薄晶圆以及该支撑膜，将超薄晶圆分割为单颗的芯片；以及

芯片分离，从该切割胶带的下方用外力将每颗芯片从该切割胶带表面顶起，使得每颗芯片从该切割胶带上分离出来，分离出的芯片包括相应的超薄晶圆以及支撑膜部分。

2.根据权利要求1所述的晶圆加工方法，其特征在于：该减薄操作包括粗磨、细磨及抛光处理。

3.根据权利要求1所述的晶圆加工方法，其特征在于：该超薄晶圆的厚度为15-50μm。

4.根据权利要求1所述的晶圆加工方法，其特征在于：该减薄操作采用具有加工12英寸及以下晶圆的能力的全自动研磨抛光机；该贴附操作采用全自动切割贴膜机；和/或该支撑膜的贴附的方式为用切割铁环绷贴的方式。

5.根据权利要求4所述的晶圆加工方法，其特征在于：还包括沿着该切割铁环的中心割除多余的支撑膜的步骤，割除之前，按照切割铁环的尺寸设置对应的刀片运行轨道和割膜角度，并根据支撑膜的性质调整割膜速度。

6.根据权利要求5所述的晶圆加工方法，其特征在于：该割膜角度为90°，割膜速度为15-20°/s。

7.根据权利要求1所述的晶圆加工方法，其特征在于：该有机膜层的材质为固态的聚酰亚胺、聚氨酯或聚二甲基硅氧烷。