[发明专利]一种栅控双极-场效应复合元素半导体基VDMOS有效
| 申请号： | 201910471455.4 | 申请日： | 2019-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN110212034B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 段宝兴;董自明;杨银堂 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/167;H01L29/10 |
| 代理公司： | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人： | 胡乐 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 栅控双极 场效应 复合 元素 半导体 vdmos | ||
【权利要求书】：
1.一种栅控双极-场效应复合元素半导体基VDMOS，包括：
半导体材料的衬底；
在所述衬底上外延生成的漂移区；
在所述漂移区表面中间区域形成的栅绝缘层；
在所述漂移区上部两侧分别形成的两处基区；每一处基区均形成源区以及相应的沟道；
源极，位于源区表面；
栅极，位于栅绝缘层表面；
漏极，位于衬底底部表面；
其特征在于：
所述衬底和外延生成的漂移区均为元素半导体材料；每一处基区远离沟道的一端还向下深入漂移区形成重掺杂区域；所述衬底的掺杂浓度为1×1013cm-3～1×1015cm-3，漂移区的掺杂浓度为3×1015cm-3，基区的掺杂浓度为5×1016cm-3，重掺杂区域的掺杂浓度为1×1016cm-3；
所述的重掺杂区域的表面生成基极，基极与源极隔离，与栅极电连接，基极与栅极之间的连接材料为半导体材料，使得基极接入电压时基极电位大于栅极电位，栅极接入电压时栅极电位大于基极电位，并满足：栅极接入电压时，基区获得的电压使得器件寄生的双极型晶体管开启。
2.根据权利要求1所述的栅控双极-场效应复合元素半导体基VDMOS，其特征在于：连接基极与栅极的半导体材料为半绝缘多晶硅。
3.根据权利要求1所述的栅控双极-场效应复合元素半导体基VDMOS，其特征在于：所述元素半导体材料为硅或锗。
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