[发明专利]制备分布布拉格反射镜的方法及垂直腔面发射激光器在审
| 申请号： | 201910471488.9 | 申请日： | 2019-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN110190513A | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 赵勇明;杨国文;张艳春;赵卫东 | 申请（专利权）人： | 度亘激光技术（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/187;H01S5/30 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 张琳琳 |
| 地址： | 215125 江苏省苏州市工业园*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 折射率层 晶格常数 衬底 垂直腔面发射激光器 分布布拉格反射镜 制备 半导体激光器 布拉格反射镜 交替生长 晶格失配 应变补偿 应变分布 应变类型 生长 外延片 两层 翘曲 | ||
【权利要求书】：
1.一种制备分布布拉格反射镜的方法，其特征在于，包括：
提供GaAs衬底；
依次在所述衬底上交替生长第一折射率层以及第二折射率层；其中，所述第一折射率层的晶格常数小于所述衬底的晶格常数，且所述第二折射率层的晶格常数大于所述衬底的晶格常数。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一折射率层的材料为AlxGa1-xAsyP1-y。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对应的x范围为x＝0或x＝1,所述对应的的y的范围为0.95<＝y<1。
4.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述第二折射率层的材料为AlzGa1-zAs。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述z的范围为：0.7<＝z<1或0<z<＝0.65。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述依次在所述衬底上交替生长第一折射率层以及第二折射率层的步骤之前，还包括：
在所述衬底上生长缓冲层的步骤；其中，所述缓冲层的材料为GaAs。
7.一种垂直腔面发射激光器，其特征在于，包括：
GaAs衬底；
形成在所述衬底上的分布布拉格反射镜；其中，所述分布布拉格反射镜是根据权利要求1-6中任一项所述的制备方法制备的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于度亘激光技术（苏州）有限公司，未经度亘激光技术（苏州）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910471488.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
