[发明专利]倒装发光二极管芯片以及倒装发光二极管芯片制备方法

权利要求书

1.一种倒装发光二极管芯片，其特征在于，包括：

衬底(1)；

N型半导体层(2)，设置于所述衬底(1)表面，所述N型半导体层(2)远离所述衬底(1)的部分表面依次设置有发光层(8)、P型半导体层(3)和透明导电层(4)；

所述N型半导体层(2)的边缘与所述P型半导体层(3)的边缘包围形成N型半导体台阶(9)；

分布式布拉格反射层(5)，设置于所述N型半导体台阶(9)边缘和所述透明导电层(4)边缘，且将所述透明导电层(4)边缘、所述P型半导体层(3)边缘和所述发光层(8)边缘覆盖，并露出所述N型半导体台阶(9)中间部分和所述透明导电层(4)中间部分；

N型金属电极层(7)，设置于所述N型半导体台阶(9)，且所述N型金属电极层(7)延伸至所述N型半导体台阶(9)边缘，用以实现与所述N型半导体层(2)的电连接；

P型金属电极层(6)，设置于所述透明导电层(4)，用以实现与所述P型半导体层(3)的电连接。

2.如权利要求1所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述N型金属电极层(7)将所述N型半导体台阶(9)远离所述透明导电层(4)的边缘的所述分布式布拉格反射层(5)覆盖。

3.如权利要求2所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述N型金属电极层(7)与所述P型金属电极层(6)包围形成回字形结构，且所述N型金属电极层(7)与所述P型金属电极层(6)之间设置有所述分布式布拉格反射层(5)。

4.如权利要求1所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述N型金属电极层(7)包括：

多个N型子电极层(710)，多个所述子电极层(710)间隔设置于所述N型半导体台阶(9)，且多个所述子电极层(710)延伸至所述N型半导体台阶(9)边缘。

5.如权利要求1所述的倒装发光二极管芯片，其特征在于，所述P型金属电极层(6)为十字形结构、矩形结构或圆形结构等。

6.一种倒装发光二极管芯片制备方法，其特征在于，包括：

提供晶圆(10)，具有依次设置的衬底(1)、N型半导体层(2)、发光层(8)以及P型半导体层(3)；

在所述P型半导体层(3)远离所述发光层(8)的表面制备透明导电层(4)；

提供N型半导体台阶图形，根据所述N型半导体台阶图形获得第一光刻胶图层(20)，并根据所述第一光刻胶图层(20)对所述透明导电层(4)、所述P型半导体层(3)与所述发光层(8)进行刻蚀，至所述N型半导体层(2)，形成N型半导体台阶(9)；

提供分布式布拉格反射层图形，根据所述分布式布拉格反射层图形获得第二光刻胶图层(30)，并根据所述第二光刻胶图层(30)在设置有所述透明导电层(4)的所述晶圆(10)表面制备分布式布拉格反射层(5)，且露出所述透明导电层(4)和所述N型半导体台阶(9)；

提供电极层图形，根据所述电极层图形获得第三光刻胶图层(40)，并根据所述第三光刻胶图层(40)在所述透明导电层(4)和所述N型半导体台阶(9)表面制备P型金属电极层(6)和N型金属电极层(7)。

7.如权利要求6所述的倒装发光二极管芯片制备方法，其特征在于，所述第一光刻胶图层(20)为矩形，且所述第一光刻胶图层(20)设置于所述透明导电层(4)中心位置，所述第一光刻胶图层(20)与所述透明导电层(4)形成回字形图形，使得在所述N型半导体层(2)中心位置依次制备所述发光层(8)、所述P型半导体层(3)与所述透明导电层(4)。