[发明专利]天线和馈源组件有效
申请号: | 201910472293.6 | 申请日: | 2019-05-31 |
公开(公告)号: | CN112018522B | 公开(公告)日: | 2023-04-11 |
发明(设计)人: | 邓如渊;陈泽峰;张冀成;付海博 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
主分类号: | H01Q19/19 | 分类号: | H01Q19/19;H01Q1/52;H01Q1/36 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 罗英;臧建明 |
地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 天线 馈源 组件 | ||
1.一种天线,其特征在于,包括:天线罩、第一天线围边、第二天线围边、主反射面和馈源组件;其中,所述主反射面适用于微波通信中的至少两个通信频段;
所述第一天线围边为可拆卸的独立部件;
所述天线罩设置在所述第一天线围边的顶端,所述第一天线围边的底端与所述第二天线围边的顶端连接,所述第二天线围边的底端与所述主反射面的顶端连接,所述主反射面的底部的中心贯穿设置有所述馈源组件;所述第一天线围边与所述第二天线围边均为圆柱面且口径相同;
所述天线的抑制角度小于或等于40度;所述抑制角度为所述馈源组件的相位中心点和所述第一天线围边的顶端边缘的任意一点确定的直线与所述馈源组件的中心轴线之间的夹角;
所述馈源组件包括副反射面、介质辐射头、圆波导管和馈源底座,所述副反射面的内表面上设置有保护层,所述副反射面的内表面为所述副反射面上朝向所述副反射面的开口的一侧;
所述介质辐射头包括位于所述圆波导管之外的外介质辐射头和位于所述圆波导管的内部的内介质辐射头;
所述外介质辐射头的侧面在从所述介质辐射头的另一端至所述介质辐射头的一端的方向上包括多个直径逐渐减小的圆柱面以及多个直径逐渐增大的圆柱面。
2.根据权利要求1所述的天线,其特征在于,所述抑制角度小于或等于第一预设角度且大于或等于第二预设角度;所述第一预设角度大于或等于30度且小于或等于40度,所述第二预设角度大于或等于30度且小于或等于35度。
3.根据权利要求1所述的天线,其特征在于,所述第一天线围边的底端嵌设在所述第二天线围边的顶端。
4.根据权利要求1至3任一项所述的天线,其特征在于,所述第二天线围边的高度小于或等于35毫米且大于或等于25毫米。
5.根据权利要求1至3任一项所述的天线,其特征在于,所述第一天线围边或所述第二天线围边的口径大于或等于340毫米且小于或等于380毫米,所述第一天线围边的顶端与所述第二天线围边的底端之间的距离小于或等于180毫米且大于或等于160毫米。
6.根据权利要求1至3任一项所述的天线,其特征在于,所述第一天线围边或所述第二天线围边的口径大于或等于610毫米且小于或等于640毫米,所述第一天线围边的顶端与所述第二天线围边的底端之间的距离小于或等于250毫米且大于或等于270毫米。
7.根据权利要求1至3任一项所述的天线,其特征在于,所述天线罩的上表面和下表面均为平面。
8.根据权利要求1至3任一项所述的天线,其特征在于,所述天线罩的厚度大于或等于25毫米且小于或等于35毫米。
9.根据权利要求1至3任一项所述的天线,其特征在于,所述主反射面的焦径比大于或等于0.15且小于或等于0.18,所述主反射面的偏移量大于或等于3毫米且小于或等于6毫米;其中,所述焦径比为所述主反射面的顶端边缘的口径与所述主反射面的焦距的比值,所述偏移量用于指示所述主反射面焦点横向偏移程度。
10.根据权利要求1至3任一项所述的天线,其特征在于,所述第一天线围边和/或所述第二天线围边的内壁上设置有吸波层。
11.根据权利要求1至10任一项所述的天线,其特征在于,所述圆波导管的一端插设在所述馈源底座中,所述介质辐射头的一端插设在所述圆波导管的另一端中,所述介质辐射头的另一端与所述副反射面连接;
所述副反射面包括底面和多个同心设置的尺寸逐渐增大的圆台型侧面;其中,相邻的两个圆台型侧面的连接处的口径相同。
12.根据权利要求11所述的天线,其特征在于,所述底面为圆形平面。
13.根据权利要求11所述的天线,其特征在于,相邻的两个圆台型侧面的连接处通过倒角处理形成倒角。
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