[发明专利]微型发光二极管基板及其制作方法有效
申请号: | 201910472316.3 | 申请日: | 2019-05-31 |
公开(公告)号: | CN112017977B | 公开(公告)日: | 2022-06-17 |
发明(设计)人: | 曹轩;王程功;李之升;钱先锐;刘玉春;洪志毅 | 申请(专利权)人: | 成都辰显光电有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L25/18;G09F9/33 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 朱颖;刘芳 |
地址: | 611731 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 微型 发光二极管 及其 制作方法 | ||
1.一种微型发光二极管基板的制作方法,其特征在于,包括:
提供驱动背板以及多个微型发光二极管芯片,其中,所述微型发光二极管芯片包括外延层以及排布在外延层上的多个第一电极;所述驱动背板包括背板基底以及排布在所述背板基底表面的多个电极绑定区;
将所述多个微型发光二极管芯片和所述驱动背板置于盛有极性溶剂和非极性溶剂的双层溶剂的腔室内,并向所述驱动背板施加交流电压,以使所述多个微型发光二极管芯片和所述驱动背板在介电泳效应的作用下贴合,并形成各微型发光二极管芯片的多个第一电极分别与驱动背板的多个电极绑定区粘附的微型发光二极管基板,其中,所述多个微型发光二极管芯片密排于所述双层溶剂的分界面上。
2.根据权利要求1所述的微型发光二极管基板的制作方法,其特征在于,还包括:
蒸干所述的腔室中的双层溶剂;
对其内形成的器件进行加热,获得所述微型发光二极管基板。
3.根据权利要求1所述的微型发光二极管基板的制作方法,其特征在于,将所述多个微型发光二极管芯片和所述驱动背板置于盛有极性溶剂和非极性溶剂的双层溶剂的腔室步骤之前,还包括:
对所述多个微型发光二极管芯片以及驱动背板分别进行亲水性能处理。
4.根据权利要求3所述的微型发光二极管基板的制作方法,其特征在于,对所述多个微型发光二极管芯片以及驱动背板分别进行亲水性能处理步骤,包括:
将所述多个微型发光二极管芯片和所述驱动背板分别进行自组装薄膜溶液的浸泡处理,以使多个微型发光二极管芯片的各第一电极外表面形成第一自组装薄膜,所述驱动背板的多个电极绑定区的外表面形成第二自组装薄膜。
5.根据权利要求4所述的微型发光二极管基板的制作方法,其特征在于,将所述多个微型发光二极管芯片和所述驱动背板置于盛有极性溶剂和非极性溶剂的双层溶剂的腔室内的步骤包括:
将所述多个微型发光二极管芯片密排于盛有双层溶剂的腔室中,以使各微型发光二极管芯片的外延层中靠近第一电极的一面在所述第一自组装薄膜的作用下浸入所述极性溶剂,各微型发光二极管芯片的外延层中远离第一电极的一面在所述第一自组装薄膜的作用下浸入所述非极性溶剂;
将所述驱动背板置于所述盛有双层溶剂的腔室中,以使所述驱动背板在所述第二自组装薄膜的作用下浸入所述极性溶剂。
6.根据权利要求3所述的微型发光二极管基板的制作方法,其特征在于,还包括:
对所述多个微型发光二极管芯片以及驱动背板分别进行亲水性能处理步骤之前,还包括用氯化氢溶液对所述多个微型发光二极管芯片进行清洗,以除去杂质。
7.根据权利要求1所述的微型发光二极管基板的制作方法,其特征在于,所述第一电极由第一金属制备而成;其中,所述第一金属包括金、铝、镍中的任意一种金属。
8.根据权利要求7所述的微型发光二极管基板的制作方法,其特征在于,所述电极绑定区包括有排布在所述背板基底表面的多个第二电极以及设置在所述第二电极上的金属层,所述第二电极由第一金属制备而成,所述金属层包括第二金属,其中所述第二金属的熔点低于所述第二电极的熔点。
9.根据权利要求1所述的微型发光二极管基板的制作方法,其特征在于,还包括:
对提供的所述多个微型发光二极管芯片进行筛选,以保留有效的多个微型发光二极管芯片;
将所述有效的多个微型发光二极管芯片和所述驱动背板置于盛有极性溶剂和非极性溶剂的双层溶剂的腔室。
10.一种微型发光二极管基板,其特征在于,采用如权利要求1-9任一项所述的方法制作而成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都辰显光电有限公司,未经成都辰显光电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910472316.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种自动加药控制设备
- 下一篇:一种海底光缆线路故障检测系统及方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造