[发明专利]一种降低西瓜果实中Cd含量同时减少土壤Cd污染的方法

权利要求书

1.一种降低西瓜果实中Cd含量同时减少土壤Cd污染的方法，其特征在于：该方法具体步骤如下：

(1)以中国南瓜作为砧木，提前利用穴盘育苗，待南瓜幼苗出土后开始西瓜接穗育苗，接穗可使用方盘进行育苗；砧木比接穗早播种3-5天；

(2)当南瓜砧木第一片真叶未完全展开，西瓜接穗破土，西瓜接穗下胚轴直立到子叶平展前时，进行嫁接；

(3)嫁接方法采用插接法，嫁接后把嫁接苗放入小拱棚内进行嫁接苗培育；

(4)嫁接苗培育生长至2-3叶1心时即可进行定植，定植于有Cd污染的土壤，按种植地的常规西瓜种植方法进行管理，待果实成熟后进行西瓜收获，西瓜收获后从土壤中拔出砧木根系，获得Cd含量低的西瓜果实、并且土壤Cd含量有效降低。

2.根据权利要求1所述的降低西瓜果实中Cd含量同时减少土壤Cd污染的方法，其特征在于：步骤(1)中所述的中国南瓜为思壮111、合生3号、京欣砧5号南瓜砧木品种中的一种。

3.根据权利要求1所述的降低西瓜果实中Cd含量同时减少土壤Cd污染的方法，其特征在于：步骤(1)中所述的穴盘育苗，具体步骤如下：选取饱满一致的南瓜砧木种子，70℃热水烫种消毒15分钟，不断搅拌，浸种完毕，清洗种子，再放于室温下清水浸4-6小时，其间搓洗2次；浸种后用湿毛巾包裹种子保湿，置于培养箱内，保持在28-30℃催芽；其间要加水保湿；待种子露白后挑种并分批播种；播种前1天浇透底水，种子平放，胚根朝下，一穴一粒，盖1.5cm厚的盖籽泥，覆地膜；出苗前育苗床温度保持25-30℃，并保持湿度60％以上，减少带帽现象；顶土时及时揭除地膜，50％出苗后要降低苗床温度至15-25℃，防止下胚轴徒长；夜间覆盖小拱棚；出苗后白天温度20-25℃，夜间不低于15℃；砧木出土后要及时脱帽；嫁接前3-4天要浇透水，嫁接前1-2天，控水并适当通风，以提高砧木的适应性和下胚轴粗壮。

4.根据权利要求1所述的降低西瓜果实中Cd含量同时减少土壤Cd污染的方法，其特征在于：步骤(1)中所述的西瓜接穗育苗，具体步骤如下：西瓜种子选取饱满一致的种子，先在55℃水中浸15分钟，不断搅拌，再在室温下浸清水2-4小时，其间搓洗1次；然后将种子用湿毛巾包裹种子保湿，置于培养箱内，保持28-30℃催芽；其间用清水洗1-2次并加水保湿；至50％以上种子露白后及时播种；播种时种子要平放，胚根朝下，播距1cm见方，盖上1cm厚的盖籽泥，浇透水，覆地膜；出苗前育苗床温度保持25-30℃，出苗后要及时揭除地膜；出苗后白天温度在20-25℃，夜间不低于15℃，及时脱壳；嫁接前1天适当让其徒长。

5.根据权利要求3或4所述的降低西瓜果实中Cd含量同时减少土壤Cd污染的方法，其特征在于：步骤(1)中所述的种子露白具体指胚根长0.8-1.2mm时。

6.根据权利要求1所述的降低西瓜果实中Cd含量同时减少土壤Cd污染的方法，其特征在于：步骤(2)中所述的南瓜砧木第一片真叶未完全展开，为南瓜砧木第一片真叶露出至完全展开。

7.根据权利要求1所述的降低西瓜果实中Cd含量同时减少土壤Cd污染的方法，其特征在于：步骤(2)中进行嫁接时，西瓜接穗的下胚轴生长至2-3cm。

8.根据权利要求1所述的降低西瓜果实中Cd含量同时减少土壤Cd污染的方法，其特征在于：步骤(3)中所述的嫁接苗培育的方法，具体步骤如下：嫁接头三天，用小拱棚覆盖，保证湿度在90％以上；睛天时要用遮阳网遮阴，以免阳光直照苗床；为防止病害和产生高脚苗，第三天开始通风降湿和炼苗，头一天早晚打开小拱棚透气10-15分钟，第四天后逐渐延长通风时间，但不能让风直接吹向苗床，以免脱水萎蔫；嫁接后第5天淋施0.1％磷酸二氢钾加0.1％尿素的混合液；嫁接后的第5-7天，应避免强光直射苗床，睛天要用遮阳网遮阴，否则嫁接口易失水干枯，难以愈合；如遇阴雨天气，则不要遮阳，充分利用自然光照提高棚内温度，促进愈合；嫁接后7天后会长出真叶，长时间打开覆盖膜不萎蔫，就可不盖膜，加大炼苗；嫁接后10天，要及时摘除砧木的侧芽，待嫁接苗生长至2-3叶1心时即可定植。

9.根据权利要求1所述的降低西瓜果实中Cd含量同时减少土壤Cd污染的方法，其特征在于：步骤(4)中所述的有Cd污染的土壤为Cd含量0.6mg/L以下的Cd污染土壤。