[发明专利]显示装置、显示面板、显示控制装置及方法、掩模板套件有效
申请号: | 201910473006.3 | 申请日: | 2019-05-31 |
公开(公告)号: | CN110767719B | 公开(公告)日: | 2022-07-08 |
发明(设计)人: | 许传志;张露;楼均辉;高孝裕 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/3208 |
代理公司: | 北京曼威知识产权代理有限公司 11709 | 代理人: | 方志炜 |
地址: | 215300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 显示 面板 控制 装置 方法 模板 套件 | ||
本发明提供了一种显示装置、显示面板、显示控制装置及方法、掩模板套件,显示面板中,在透明显示区、非透明显示区以及过渡显示区构成的全面屏共同显示一幅静态图像时,偏光片对准偏差引起的开口偏移范围对应的过渡显示区呈暗区。暗区使偏光片引起的亮度差异人眼无法识别,以提高使用全面屏时的用户体验。
技术领域
本发明涉及OLED显示设备技术领域,尤其涉及一种显示装置、显示面板及其显示控制装置、显示控制方法、以及用于制作显示面板的阴极的掩模板套件。
背景技术
随着显示装置的快速发展,用户对屏幕占比的要求越来越高,由于屏幕上方需要安装摄像头、传感器、听筒等元件,因此现有技术中屏幕上方通常会预留一部分区域用于安装上述元件,例如苹果手机iphoneX的前刘海区域,影响了屏幕的整体一致性,全面屏显示受到业界越来越多的关注。
发明内容
本发明的发明目的是提供一种用于全面屏的显示装置、显示面板及其显示控制装置、显示控制方法、以及用于制作显示面板的阴极的掩模板套件。
为实现上述目的,本发明的第一方面提供一种显示面板,包括:OLED基板以及位于所述OLED基板上的偏光片;所述OLED基板包括透明显示区、非透明显示区以及位于所述透明显示区与非透明显示区之间的过渡显示区,所述偏光片具有开口,所述偏光片至少覆盖所述非透明显示区,所述开口至少暴露所述透明显示区,所述过渡显示区的尺寸大于等于所述偏光片的对准偏差的尺寸;
在所述透明显示区、非透明显示区以及过渡显示区共同显示一幅静态图像时,所述过渡显示区呈暗区。
可选地,在所述透明显示区、非透明显示区以及过渡显示区共同显示动态图像时,所述透明显示区与非透明显示区各像素的显示灰度值为动态图像中的各像素的原始灰度值,所述过渡显示区各像素的显示灰度值小于等于动态图像中的各像素的原始灰度值。
可选地,所述过渡显示区围绕所述透明显示区呈闭合环或非闭合环;
优选地,所述显示面板包括阴极,所述阴极包括:第一阴极以及围绕所述第一阴极的第二阴极,所述第一阴极与第二阴极连接在一起,所述第一阴极至少位于透明显示区,第二阴极至少位于非透明显示区,所述第一阴极的厚度小于所述第二阴极的厚度。
可选地,所述过渡显示区包括透明显示区延伸区与非透明显示区延伸区;所述透明显示区延伸区靠近所述透明显示区,且所述透明显示区延伸区的像素的结构与所述透明显示区的像素的结构相同;所述非透明显示区延伸区靠近所述非透明显示区,且所述非透明显示区延伸区的像素的结构与所述非透明显示区的像素的结构相同。
本发明的第二方面提供一种显示面板的显示控制装置,
所述显示面板包括:OLED基板以及位于所述OLED基板上的偏光片,所述OLED基板包括透明显示区、非透明显示区以及位于所述透明显示区与非透明显示区之间的过渡显示区,所述偏光片具有开口,所述偏光片至少覆盖所述非透明显示区,所述开口至少暴露所述透明显示区,所述过渡显示区的尺寸大于等于所述偏光片的对准偏差的尺寸;
所述显示控制装置包括:图像获取模块、图像处理模块与显示驱动模块;其中,
所述图像获取模块用于获取原始静态图像;
所述图像处理模块用于保持所述原始静态图像中对应于透明显示区与非透明显示区的各像素的原始灰度值不变,降低所述原始静态图像中对应于过渡显示区的各像素的原始灰度值,得到待显示静态图像;
所述显示驱动模块用于将待显示静态图像显示在所述透明显示区、非透明显示区以及过渡显示区;
优选地,所述图像处理模块得到的所述待显示静态图像中,所述过渡显示区的每一像素的显示灰度值与所述原始灰度值的比值固定;
优选地,所述比值为50%以下、25%以下或10%以下;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的