[发明专利]带多层突起结构的谐振器及其制造方法、滤波器及电子设备

权利要求书

1.一种体声波谐振器，包括：

基底；

声学镜；

底电极，设置在基底上方；

顶电极，与所述底电极对置，且具有电极连接部；和

压电层，设置在底电极上方以及底电极与顶电极之间，

其中：

所述顶电极的边缘设置有在基底的厚度方向上层叠的至少第一突起结构和第二突起结构，第一突起结构设置于顶电极上，第二突起结构设置于第一突起结构之上；

第一突起结构具有第一宽度，第二突起结构具有第二宽度，第一宽度与第二宽度的比值在7:1-9:7的范围内。

2.根据权利要求1所述的谐振器，其中：

第二宽度的范围为0.5-3μm，进一步的为1-2μm；或者

第二宽度的范围为1.5-9μm，进一步的为3-6μm。

3.根据权利要求1所述的谐振器，其中：

第二宽度的范围为0.5-3μm，进一步的为1-2μm，且第一宽度的范围为1-6μm，进一步的为2-5μm；或者

第二宽度的范围为1.5-9μm，进一步的为3-6μm，且第一宽度的范围为3-18μm，进一步的为6-15μm。

4.根据权利要求1所述的谐振器，其中：

所述第二宽度在第一突起结构对应的周期低值±1μm的范围内，且第一宽度在第一突起结构对应的周期高值±2μm的范围内，且周期高值大于所述周期低值。

5.根据权利要求4所述的谐振器，其中：

所述第二宽度在第一突起结构对应的相邻周期低值(a)±1μm的范围内，且第一宽度在第一突起结构对应的相邻周期高值(b)±2μm的范围内。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的谐振器，其中：

所述第二宽度与第一宽度的比值为约1:3或3:5或5:7。

7.根据权利要求6所述的谐振器，其中：

所述相邻周期低值为1.25μm，且所述相邻周期高值为4μm。

8.根据权利要求1所述的谐振器，其中：

第一宽度与第二宽度的比值在4:1-2:1的范围内。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的谐振器，其中：

第一突起结构和第二突起结构的外侧与顶电极的边缘大体上对齐。

10.根据权利要求1-9中任一项所述的谐振器，其中：

所述顶电极边缘设置有悬翼结构或桥部结构。

11.根据权利要求10所述的谐振器，其中：

所述谐振器还包括自第一突起结构朝向相应悬翼结构或桥部结构延伸而覆盖悬翼结构或桥部结构的第一延伸层，以及自第二突起结构朝向相应悬翼结构或桥部结构延伸而覆盖第一延伸层的第二延伸层。

12.根据权利要求1-11中任一项所述的谐振器，还包括：

钝化层，所述钝化层至少覆盖第一突起结构和第二突起结构。

13.根据权利要求1-12中任一项所述的谐振器，其中：

第一突起结构的第一厚度大于第二突起结构的第二厚度。

14.根据权利要求13所述的谐振器，其中：

第二厚度与第一厚度的比值在1:1.1-1:10的范围内，进一步的在1:3-1:8的范围内。

15.根据权利要求14所述的谐振器，其中：

第一厚度在的范围内，进一步的在的范围内；且

第二厚度在的范围内，进一步的在的范围内。

16.根据权利要求1所述的谐振器，其中：

第一突起结构的内侧边缘比第二突起结构的内侧边缘更靠近内侧。