[发明专利]一种用于多晶硅薄膜的激光掺杂方法在审
| 申请号： | 201910473109.X | 申请日： | 2019-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN112103368A | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 陈达明;陈奕峰;王尧;刘成法;何宇;邹杨;夏锐;林文杰;袁玲;龚剑 | 申请（专利权）人： | 天合光能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/068;H01L21/268 |
| 代理公司： | 浙江永鼎律师事务所 33233 | 代理人： | 郭小丽 |
| 地址： | 213022 江苏省常*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 多晶 薄膜 激光 掺杂 方法 | ||
1.一种用于多晶硅薄膜的激光掺杂方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)在硅片衬底的表面生长一层氧化硅层；
(2)在氧化硅层上沉积多晶硅薄膜，所述多晶硅薄膜为原位掺杂的多晶硅薄膜或本征多晶硅薄膜，若为本征多晶硅薄膜时，在本征多晶硅薄膜上引入掺杂源；
(3)采用激光辐照多晶硅薄膜。
2.如权利要求1所述的用于多晶硅薄膜的激光掺杂方法，其特征在于，所述步骤(1)中将硅片衬底置于管式氧化炉内生长一层氧化硅层。
3.如权利要求1所述的用于多晶硅薄膜的激光掺杂方法，其特征在于，所述氧化硅层的厚度为1～5nm。
4.如权利要求1所述的用于多晶硅薄膜的激光掺杂方法，其特征在于，所述步骤(2)中在氧化硅层上采用低压化学气相沉积方法沉积。
5.如权利要求1所述的用于多晶硅薄膜的激光掺杂方法，其特征在于，所述多晶硅薄膜的厚度为5～1000nm。
6.如权利要求1所述的用于多晶硅薄膜的激光掺杂方法，其特征在于，在氧化硅层上沉积原位掺杂的多晶硅薄膜之后，采用激光辐照多晶硅薄膜，激活掺杂原子。
7.如权利要求1所述的用于多晶硅薄膜的激光掺杂方法，其特征在于，在氧化硅层上沉积本征多晶硅薄膜之后，采用APCVD沉积掺杂源、旋涂掺杂源或管式扩散炉沉积掺杂源，最后采用激光辐照，将掺杂剂推入本征多晶硅薄膜以实现掺杂。
8.如权利要求1所述的用于多晶硅薄膜的激光掺杂方法，其特征在于，激光辐照时，激光光斑为圆形、方形或线形。
9.如权利要求1所述的用于多晶硅薄膜的激光掺杂方法，其特征在于，所述激光辐照时，激光的波长为325nm、532nm或1064nm。
10.如权利要求1所述的用于多晶硅薄膜的激光掺杂方法，其特征在于，掺杂时，采用的掺杂剂为PH3或B2H6。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天合光能股份有限公司，未经天合光能股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910473109.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：更新配置文件方法、配置服务器、版本控制服务器及系统
- 下一篇：衣物处理设备
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
