[发明专利]一种去除InP半导体材料衬底的方法在审
| 申请号： | 201910474957.2 | 申请日： | 2019-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN110223913A | 公开（公告）日： | 2019-09-10 |
| 发明（设计）人： | 史衍丽;郝常华;王健 | 申请（专利权）人： | 云南大学 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 | 代理人： | 郑自群 |
| 地址： | 650000 云南省昆明市呈贡区文博*** | 国省代码： | 云南;53 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体材料 衬底 腐蚀 去除 化学腐蚀 半导体材料领域 机械去除 机械损伤 生产效率 时间缩短 物理去除 一步到位 制作工艺 混合物 报废率 成品率 传统的 磷酸 盐酸 | ||
【权利要求书】：
1.一种去除InP半导体材料衬底的方法，其特征在于：包括以下步骤：
(1)配制腐蚀液，所述腐蚀液包括盐酸和磷酸按照1：(0.5-1.6)的混合物；
(2)将含有≥350μm厚度衬底的半导体材料放置于腐蚀液中，保持腐蚀液温度为26-42℃；
(3)腐蚀过程中每隔0.5-1.5小时将半导体材料从腐蚀液中取出，用去离子水冲洗腐蚀液并吹干，再通过台阶仪检测衬底材料的厚度，然后放置于腐蚀液中继续腐蚀至衬底材料全部去除。
2.根据权利要求1所述去除InP半导体材料衬底的方法，其特征在于：步骤(1)中所述腐蚀液的配比为盐酸：磷酸＝1：(0.5-1)。
3.根据权利要求1所述去除InP半导体材料衬底的方法，其特征在于：步骤(1)中所述腐蚀液的配比为盐酸：磷酸＝1：1。
4.根据权利要求3所述去除InP半导体材料衬底的方法，其特征在于：步骤(2)中所述腐蚀液温度为30-42℃。
5.根据权利要求3所述去除InP半导体材料衬底的方法，其特征在于：步骤(2)中所述腐蚀液温度为28-32℃。
6.根据权利要求1所述去除InP半导体材料衬底的方法，其特征在于：所述盐酸的浓度为37.5％；所述磷酸的浓度为85％。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
