[发明专利]太阳能电池的背面钝化结构及其制备方法

权利要求书

1.一种太阳能电池的背面钝化结构，其特征在于，所述背面钝化结构设置于所述太阳能电池的硅片衬底背面；

所述背面钝化结构包括叠层钝化介质层；

所述叠层钝化介质层包括自所述背面的表面依次向外设置的第一氧化硅膜层、氧化铝钝化膜层、第一氮化硅减反射层、第二氧化硅膜层。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池的背面钝化结构，其特征在于，所述第一氮化硅减反射层包括自所述背面的表面依次向外设置的第一折射率氮化硅减反射层和第二折射率氮化硅减反射层；

所述第一折射率氮化硅减反射层的折射率高于所述第二折射率氮化硅减反射层的折射率。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池的背面钝化结构，其特征在于，所述第一折射率氮化硅减反射层的膜层厚度为30～60nm；

所述第二折射率氮化硅减反射层的膜层厚度为20～40nm。

4.根据权利要求2所述的太阳能电池的背面钝化结构，其特征在于，所述第一折射率氮化硅减反射层的折射率为2.15～2.25；

所述第二折射率氮化硅减反射层的折射率为2.05～2.10。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池的背面钝化结构，其特征在于，所述第一氧化硅膜层的膜层厚度为1～5nm；所述第二氧化硅膜层的膜层厚度为10～30nm。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池的背面钝化结构，其特征在于，所述氧化铝钝化膜层的膜层厚度为5～20nm。

7.一种太阳能电池的背面钝化结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法具有以下步骤：S1、将太阳能电池的硅片衬底在碱制绒设备上进行前处理，在硅片衬底的背面形成抛光面；

S2、在所述硅片衬底的背面形成第一氧化硅膜层；

S3、在所述第一氧化硅膜层上形成氧化铝钝化膜层；

S4、在所述氧化铝钝化膜层上形成第一氮化硅减反射层；

S5、在所述第一氮化硅减反射层上形成第二氧化硅膜层。

8.根据权利要求7所述的太阳能电池的背面钝化结构的制备方法，其特征在于，所述步骤S4具体包括：在所述氧化铝钝化膜层上自所述氧化铝钝化膜层的表面依次向外形成第一折射率氮化硅减反射层和第二折射率氮化硅减反射层；

所述第一折射率氮化硅减反射层的折射率高于所述第二折射率氮化硅减反射层的折射率。

9.根据权利要求8所述的太阳能电池的背面钝化结构的制备方法，其特征在于，所述步骤S4具体包括：

S401、将沉积有氧化铝钝化膜层的硅片衬底放入化学气相沉积设备，通入氮气5～10slm，通入时间维持3～5min；

S402、升高温度至450～550℃，氮气流量为5～10slm，升温时间为5～10min；

S403、进行抽真空和测试真空度的操作；

S404、在所述氧化铝钝化膜层的表面沉积第一层氮化硅减反射层；通入硅烷流量800～1500sccm，氨气3.5～6slm，沉积时间5～10min；

S405、在所述第一层氮化硅减反射层的表面沉积第二层氮化硅减反射层；通入硅烷流量500～1000sccm，氨气6～10slm，沉积时间3～6min；

S406、在所述第二层氮化硅减反射层上沉积第二氧化硅膜层；

S407、将硅片衬底取出化学气相沉积设备，完成背面钝化介质层的制备。

10.根据权利要求9所述的太阳能电池的背面钝化结构的制备方法，其特征在于，所述步骤S406具体包括：在沉积第二氧化硅膜层时，通入硅烷流量400～1000sccm，笑气4000～8000sccm，沉积时间为10～30min。