[发明专利]一种保密传输系统、方法及芯片

权利要求书

1.一种保密传输系统，其特征在于，包括：加密单元和解密单元；

所述加密单元包括太赫兹波发射源、太赫兹芯片、信息板、太赫兹波接收器；所述信息板附着于所述太赫兹芯片上；

在加密时，所述太赫兹波发射源向附着有所述信息板的所述太赫兹芯片发射太赫兹波，所述太赫兹波经附有所述信息板的所述太赫兹芯片进行低频滤波后传输至所述太赫兹波接收器，实现信息加密；

所述解密单元包括所述太赫兹波发射源、所述太赫兹芯片、所述信息板、所述太赫兹波接收器以及激光发射源；

在解密时，所述太赫兹波发射源向附着有所述信息板的所述太赫兹芯片发射太赫兹波，所述激光发射源向附着有所述信息板的所述太赫兹芯片上发射激光，所述太赫兹波与所述激光经附有所述信息板的所述太赫兹芯片进行高频滤波后传输至所述太赫兹波接收器，实现信息解密。

2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于：

所述太赫兹芯片包括衬底和衬底顶面的二维阵列；

所述的二维阵列由周期排列的N×M个正方形单元结构组成，N、M为的正整数。

3.根据权利要求2所述的系统，其特征在于：

所述单元结构包括：正方形的金属体、在所述金属结构上形成有正方形环状凹槽，所述凹槽关于所述金属结构中心线对称；在所述凹槽中还设有关于所述金属结构中心线对称的金属块和半导体材料块，所述金属结构、所述金属块、所述半导体材料块的上表面等高。

4.根据权利要求2所述的系统，其特征在于：

所述金属结构主体的边长为17～425um，所述凹槽的外边长为16～400um，内边长为15～360um，所述金属块的宽为1～20um，长为2～50um，厚度为0.1um～5um，所述半导体材料块的宽为1～20um，长4～100um，厚度为0.1um～5um。

5.根据权利要求2所述的系统，其特征在于：

所述衬底为蓝宝石衬底。

6.一种保密传输方法，其特征在于，包括：加密过程和解密过程；

在加密时，太赫兹波发射源向附着有信息板的太赫兹芯片上发射太赫兹波，所述太赫兹波经附有所述信息板的所述太赫兹芯片进行低频滤波后传输至太赫兹波接收器，实现信息加密；

在解密时，所述太赫兹波发射源向附着有所述信息板的所述太赫兹芯片发射太赫兹波，所述激光发射源向附着有所述信息板的所述太赫兹芯片上发射激光，所述太赫兹波与所述激光经附有所述信息板的所述太赫兹芯片进行高频滤波后传输至所述太赫兹波接收器，实现信息解密。

7.一种保密传输芯片，其特征在于，所述芯片用于利用太赫兹波进行保密传输；所述芯片包括衬底以及衬底顶面的二维阵列；

所述的二维阵列由周期排列的N×M个正方形单元结构组成，N、M为的正整数；

所述单元结构包括：正方形的金属结构主体、在所述金属结构上形成有正方形环状凹槽，所述凹槽关于所述金属结构中心线对称；在所述凹槽中还设有关于所述金属结构中心线对称的金属块和半导体材料块。

8.根据权利要求7所述的芯片，其特征在于：

所述金属结构主体的边长为17～425um，所述凹槽的外边长为16～400um，内边长为15～360um，所述金属块的宽为1～20um，长为2～50um，厚度为0.1um～5um，所述半导体材料块的宽为1～20um，长为4～100um，厚度为0.1um～5um。

9.根据权利要求7所述的芯片，其特征在于：

所述衬底为蓝宝石衬底。

10.一种应用权利7～9中任一项所述的芯片进行保密传输的方法，其特征在于，所述芯片上附着有信息板；

在加密时，所述芯片接收太赫兹波发射源发射的太赫兹波，对所述太赫兹波进行低频滤波后，使滤波后的太赫兹波传输至太赫兹波接收器，完成信息加密；

在解密时，所述芯片接收所述太赫兹波发射源发射的太赫兹波以及激光发射源发射的激光，对所述太赫兹波进行高频滤波后，使滤波后的太赫兹波传输至所述太赫兹波接收器，完成信息解密。