[发明专利]一种硅块的处理方法和处理装置在审
申请号: | 201910475524.9 | 申请日: | 2019-06-03 |
公开(公告)号: | CN110158155A | 公开(公告)日: | 2019-08-23 |
发明(设计)人: | 宮尾秀一 | 申请(专利权)人: | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
主分类号: | C30B33/10 | 分类号: | C30B33/10;C30B29/06 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 许静;胡影 |
地址: | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 硅块 硅块表面 硅烷醇基 刻蚀液 处理装置 硝酸溶液 乙酸溶液 清洗槽 酸蚀刻 去除 刻蚀工序 生产效率 刻蚀 | ||
1.一种硅块的处理方法,其特征在于,包括:
在对硅块表面进行酸蚀刻之前,将所述硅块浸于盛有硝酸溶液和/或乙酸溶液的清洗槽中,以去除所述硅块表面的硅烷醇基。
2.根据权利要求1所述的硅块的处理方法,其特征在于,将所述硅块浸于盛有硝酸溶液和/或乙酸溶液的清洗槽中,以去除所述硅块表面的硅烷醇基之后,还包括:
将所述硅块置于盛有刻蚀液的蚀刻槽中进行硅块表面的蚀刻,所述刻蚀液包括氢氟酸溶液和/或硝酸溶液。
3.根据权利要求2所述的硅块的处理方法,其特征在于,在所述蚀刻槽中的刻蚀液中包括氢氟酸溶液和硝酸溶液,所述刻蚀液中氢氟酸的浓度小于等于10wt%,硝酸的浓度大于等于50wt%。
4.根据权利要求2所述的硅块的处理方法,其特征在于,将所述硅块置于盛有刻蚀液的蚀刻槽中进行硅块表面的蚀刻,包括:
将从所述蚀刻槽中的刻蚀液中挥发出的蒸汽和/或气体至少一部分通入所述蚀刻槽中的刻蚀液中。
5.根据权利要求4所述的硅块的处理方法,其特征在于,所述蚀刻槽的底部设有进入口,将从所述蚀刻槽中的刻蚀液中挥发出的蒸汽和/或气体至少一部分通入所述蚀刻槽中的刻蚀液中,包括:通过所述进入口向所述蚀刻槽中的刻蚀液中通入从所述蚀刻槽中的刻蚀液中挥发出的蒸汽和/或气体。
6.根据权利要求5所述的硅块的处理方法,其特征在于,通过所述进入口向所述蚀刻槽中的刻蚀液中通入从所述蚀刻槽中的刻蚀液中挥发出的蒸汽和/或气体,包括:
通过风机将从所述蚀刻槽中的刻蚀液中挥发出的蒸汽和/或气体通入所述蚀刻槽中的刻蚀液中。
7.根据权利要求2所述的硅块的处理方法,其特征在于,所述蚀刻槽包括盛有刻蚀液的第一蚀刻槽和盛有刻蚀液的第二蚀刻槽,所述第一蚀刻槽中的刻蚀液和所述第二蚀刻槽中的刻蚀液通过泵在所述第一蚀刻槽和所述第二蚀刻槽之间进行循环,所述第二蚀刻槽的底部设有进入口,
将所述硅块置于盛有刻蚀液的蚀刻槽中进行所述硅块表面的蚀刻包括:将所述硅块置于所述第一蚀刻槽中进行所述硅块表面的蚀刻;
将从所述第一蚀刻槽中的刻蚀液中挥发出的蒸汽和/或气体至少一部分通过所述第二蚀刻槽的进入口通入所述第二蚀刻槽中的刻蚀液中。
8.一种处理装置,其特征在于,包括:
清洗槽,用于盛装硝酸溶液和/或乙酸溶液;
蚀刻槽,用于盛装刻蚀液,所述刻蚀液包括氢氟酸溶液和/或硝酸溶液;
排气罩,设置于所述清洗槽与所述蚀刻槽的上方以收集从所述清洗槽与所述蚀刻槽中挥发出的蒸汽和/或气体;
风机,所述风机的进口与所述排气罩的出口连通,所述风机的出口与所述蚀刻槽连通,用以将从所述清洗槽与所述蚀刻槽中挥发出的蒸汽和/或气体通入所述蚀刻槽中的刻蚀液中。
9.根据权利要求8所述的处理装置,其特征在于,所述蚀刻槽的底部设有进入口,所述风机的出口与所述进入口连通,以将从所述清洗槽与所述蚀刻槽中挥发出的蒸汽和/或气体通过所述进入口通入所述蚀刻槽中的刻蚀液中。
10.根据权利要求9所述的处理装置,其特征在于,还包括泵,所述蚀刻槽包括用于盛装刻蚀液的第一蚀刻槽和用于盛装刻蚀液的第二蚀刻槽,所述进入口设在所述第二蚀刻槽的底部,所述泵设在所述第一蚀刻槽和所述第二蚀刻槽之间,以使所述第一蚀刻槽中的刻蚀液和所述第二蚀刻槽中的刻蚀液通过所述泵在所述第一蚀刻槽和所述第二蚀刻槽之间进行循环。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安奕斯伟硅片技术有限公司,未经西安奕斯伟硅片技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910475524.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:稳流装置及拉晶炉
- 下一篇:一种用于结晶过程的晶种制备方法