[发明专利]一种微晶玻璃的晶化方法及其装置

权利要求书

1.一种微晶玻璃的晶化方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)熔化：将搅拌均匀后的配合料高温加热至450～550℃，保持1～2小时，然后再加热至900～1000℃，保持1～2小时，最后升温至1520～1620℃进行熔融，保持2～3小时，得到熔融的微晶玻璃液；

(2)压延成型：将上述微晶玻璃液冷却至1150～1200℃，再送入压延机进行三次压延成型，950～1050℃的温度下进行一次压延，850～900℃的温度下进行二次压延，750～800℃的温度下进行三次压延；

(3)辊道核化：将上述微晶玻璃送入第一辊道窑，在第一辊道窑内冷却降温至700～750℃，保持1～2小时，再送入第二辊道窑，进行核化处理，核化温度为620～660℃，保持1～2小时，最后送入第三辊道窑，进行晶化前升温处理，加热升温至720～800℃，保持2～3小时；

(4)锡池晶化：将上述微晶玻璃板送入晶化锡池进行晶化，晶化锡池初段温度控制在950～1000℃，晶化锡池中段温度控制在1150～1200℃，晶化锡池末段温度控制在800～860℃；

(5)辊道退火：将上述晶化后的微晶玻璃板送入第四辊道窑，进行退火降温处理；

(7)切割下片：将退火后的微晶玻璃板进行切裁，得到成品微晶玻璃板。

2.根据权利要求1所述的微晶玻璃的晶化方法，其特征在于，步骤(4)中所述的微晶玻璃板在晶化锡池初段停留时间为0.5～1小时，在晶化锡池中段停留时间为1～2小时，在晶化锡池末段停留时间为1～2小时。

3.根据权利要求1所述的微晶玻璃的晶化方法，其特征在于，步骤(7)得到成品微晶玻璃板的厚度为3～6mm。

4.一种用于权利要求1所述的微晶玻璃的晶化方法的晶化装置，其特征在于，包括锡池过砖梁、锡池顶盖砖(2)、加热元件(3)、升降装置(4)、晶化锡池(5)、前过渡辊道(6)和后过渡辊道(7)，所述锡池过砖梁为门状结构，包括横梁(11)和竖梁(12)，所述升降装置(4)一端固定安装所述横梁(11)底部，另一端与所述锡池顶盖砖(2)连接，所述锡池顶盖砖(2)底部连接有加热元件(3)，所述加热元件(3)下方设有所述晶化锡池(5)，所述晶化锡池(5)包括锡池池底砖(51)、锡池池壁砖(52)和锡池胸墙(53)，所述锡池池壁砖(52)设于所述锡池池底砖(51)上方，所述锡池胸墙(53)设于所述锡池池壁砖(52)上方，所述晶化锡池(5)内装有锡液(54)，所述前过渡辊道(6)和后过渡辊道(7)分别设于所述晶化锡池(5)两侧。

5.根据权利要求4所述的微晶玻璃的晶化方法的晶化装置，其特征在于，所述升降装置(4)通过吊挂砖(8)与所述锡池顶盖砖(2)连接，所述升降装置(4)的底端设有挂钩(9)，所述吊挂砖(8)内插接有T型挂板(10)，所述挂钩(9)钩接在所述T型挂板(10)上。

6.根据权利要求4所述的微晶玻璃的晶化方法的晶化装置，其特征在于，所述前过渡辊道(6)包括核化退火炉托辊(61)和前过渡辊台托辊(62)，所述后过渡辊道(7)包括晶化退火炉托辊(71)和后过渡辊台托辊(72)。

7.根据权利要求4所述的微晶玻璃的晶化方法的晶化装置，其特征在于，所述锡池池底砖(51)和锡池池壁砖(52)外侧设有保温砖(55)，所述锡池池底砖(51)与锡池池壁砖(52)相接的上端面设有矩形凸块一(511)和三角凸块(512)，所述锡池池壁砖(52)底部设有矩形凸块二(521)，所述矩形凸块二(521)插接在所述矩形凸块一(511)和三角凸块(512)之间。

8.根据权利要求4所述的微晶玻璃的晶化方法的晶化装置，其特征在于，所述锡池胸墙(53)高度为200mm，所述锡池池壁砖(52)高度1000mm，所述锡液(54)深度为800mm。