[发明专利]半导体器件隔离侧墙厚度计算方法及其计算系统

权利要求书

1.一种半导体器件隔离侧墙厚度计算方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)计算量产半导体器件产品表面积；

2)将量产半导体器件产品表面积与隔离侧墙厚度建立第一线性模型；

3)计算控片顶部隔离侧墙和其底部隔离侧墙厚度的差值，将量产半导体器件产品表面积与所述差值建立第二线性模型；

4)计算待产半导体器件产品表面积；

5)将待产半导体器件产品表面积代入第一线性模型获得位于晶舟底部的待产半导体器件产品隔离侧墙厚度；

6)将待产半导体器件产品表面积代入第二线性模型获得位于晶舟底部和顶部待产半导体器件产品隔离侧墙厚度差值；

7)将晶舟底部和顶部待产半导体器件产品隔离侧墙厚度差值与待产半导体器件产品在晶舟中的位置高度形成第三线性模型；

8)待产半导体前产品在晶舟中的位置高度代入第三线性模型计算出晶舟剩余位置隔离侧墙厚度值。

2.如权利要求1所述的半导体器件隔离侧墙厚度计算方法，其特征在于：实施步骤1)时，采用以下步骤计算量产半导体器件产品表面积；

A)通过量产半导体器件产品光罩数据计算得到量产半导体器件产品多晶硅线周长；

B)通过量产半导体器件产品单个成像区的大小计算得到硅片上成像区数量；

C)计算得到量产半导体器件产品表面积。

3.如权利要求2所述的半导体器件隔离侧墙厚度计算方法，其特征在于：实施步骤C)时，采用以下公式计算量产半导体器件产品表面积；

量产产品表面积＝单个成像区内多晶硅总周长×成像区数量×多晶硅高度+硅片面积。

4.如权利要求1所述的半导体器件隔离侧墙厚度计算方法，其特征在于：实施步骤2)时，采用以下方式建立第一线性模型；

将量产半导体器件产品表面积与晶舟底部产品的隔离侧墙厚度制作散点图，通过线性拟合建立第一线性模型。

5.如权利要求1所述的半导体器件隔离侧墙厚度计算方法，其特征在于：实施步骤3)时，采用以下方式建立第二线性模型；

将量产半导体器件产品表面积与所述差值制作散点图，通过线性拟合建立第二线性模型。

6.如权利要求1所述的半导体器件隔离侧墙厚度计算方法，其特征在于：实施步骤4)时，采用以下步骤计算待产半导体器件产品表面积；

a)通过待产半导体器件产品光罩计算得到多晶硅线周长；

b)通过待产半导体器件产品单个成像区的大小计算得到硅片上成像区数量；

c)计算得到待产半导体器件产品表面积。

7.如权利要求6所述的半导体器件隔离侧墙厚度计算方法，其特征在于：实施步骤c)时，采用以下公式计算待产半导体器件产品表面积；

待产产品表面积＝单个成像区内多晶硅总周长×成像区数量×多晶硅高度+硅片面积。

8.如权利要求1所述的半导体器件隔离侧墙厚度计算方法，其特征在于：实施步骤7)时，采用以下方式建立第三线性模型；

将晶舟底部和顶部待产半导体器件产品隔离侧墙厚度差值与待产半导体器件产品在晶舟的位置高度制作散点图，通过线性拟合建立第三线性模型。