[发明专利]显示面板和显示装置

说明书

一种显示面板和显示装置，抑制具有氧化物半导体膜的晶体管的电特性的变化。在液晶面板(10)中，在阵列基板(30)的非显示区域(NAA)中形成为单片的行控制电路部(GDM电路)(82)具备具有氧化物半导体膜(33)而构成的非显示区域用TFT(70)。构成为，在形成于CF基板(20)的非显示区域(NAA)的包括遮光膜(22)的周边遮光部(22B)中，在俯视时与非显示区域用TFT(70)的至少第1沟道部(74)重叠的位置设置开口部(22H)，通过了开口部(22H)的光能照射到非显示区域用TFT(70)并被吸收。

技术领域

由本说明书公开的技术涉及显示面板和显示装置。

背景技术

已知通过在相对配置的一对基板之间密封电光物质并对该电光物质供应电信号来显示图像的显示面板。在这种显示面板中，作为用于对电光物质供应电信号并控制各像素的动作的开关元件，使用了许多TFT(Thin Film Transistor：薄膜晶体管)。作为该TFT的活性层，提出了使用氧化物半导体膜来代替非晶硅等的硅半导体膜。

氧化物半导体膜与硅半导体膜相比，电子迁移率高，均匀性优异，但电特性会随着电压的施加等的电应力而改变。当电特性改变，TFT的阈值上升，不再对电光物质适当地供应电信号时，就会成为发生点亮故障等不良情况的原因。因此，例如在下述专利文献1中提出了如下驱动方法：为了抑制TFT使用时的电应力对电特性的影响，在TFT的非驱动时对栅极端子、源极端子之间赋予电应力。

然而，在现有的显示面板中，通常，在显示图像的显示区域中配置在显示图像的各像素之间的遮光膜是位于与栅极配线和源极配线在俯视时重叠的位置，并覆盖配置在各配线的交叉部的显示区域用TFT的表侧。另外，在不显示图像的非显示区域有时也配设非显示区域用TFT，但包含非显示区域用TFT的配设部分的非显示区域为了抑制漏光并提高显示图像的对比度，而通常被遮光膜覆盖。例如，在下述专利文献2中公开了在显示区域的遮光膜形成有开口部的液晶面板，但该开口部意图在于使光通过具有波长选择性的膜而照射到设置于各图像元素的传感二极管，而不是使光照射到TFT的结构。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特开2009-42664号公报

专利文献2：特许第4946424号公报

发明内容

发明要解决的问题

根据上述专利文献1，TFT的电特性的变化虽然得到抑制，但需要施加原本是驱动所不需要的电压等而对TFT赋予电应力。另外，在包含上述专利文献2的液晶面板在内的现有的显示面板中，在俯视时与TFT的配设部分重叠的位置配置有遮光膜，设为了光难以照射到TFT的构成。本发明的发明人着眼于电特性由于TFT吸收光而改变(向负方向的偏移量增加)这一点，经过认真研究发现，在以规定的方法驱动的TFT中，通过设为光照射到TFT的构成，能抑制电特性的变化，从而实现了本发明。

本技术是基于如上所述的情况而完成的，目的在于抑制具有氧化物半导体膜而构成的TFT的电特性的变化。

用于解决问题的方案

(1)本说明书所公开的技术的一个实施方式是一种显示面板，能显示图像，具备：

第1基板；

第2基板，其与上述第1基板相对配置；

电光物质，其密封在上述第1基板与上述第2基板之间；

晶体管，其设置在上述第1基板上，对上述电光物质供应电信号，并且具有氧化物半导体膜作为活性层；以及