[发明专利]侧墙的制造方法

权利要求书

1.一种侧墙的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、在半导体衬底表面形成栅介质层和多晶硅栅，在所述多晶硅栅的顶部表面形成有由第一氮化硅层组成的硬质掩模层；

步骤二、采用原子层沉积工艺形成第二氮化硅层，所述第二氮化硅层覆盖在所述多晶硅栅的侧面和所述多晶硅栅外部的所述半导体衬底表面以及包覆在所述硬质掩模层的顶部表面和侧面；

步骤三、采用离子注入工艺进行氮化硅的修饰处理，被修饰处理的氮化硅包括所述多晶硅栅外部的所述半导体衬底表面的所述第二氮化硅层和所述多晶硅栅顶部的所述硬质掩模层以及包覆在所述硬质掩模层顶部表面和侧面的所述第二氮化硅层；所述多晶硅栅的侧面的所述第二氮化硅层保持为未被修饰处理；所述被修饰处理的氮化硅能被DHF去除，未被修饰处理的氮化硅不能被DHF去除；

步骤四、采用DHF去除所述被修饰处理的氮化硅，所述未被修饰处理的氮化硅保留在所述多晶硅栅的侧面形成第一层侧墙，所述第一层侧墙的顶部表面低于等于所述多晶硅栅的顶部表面，从而消除由于所述第一层侧墙突出到所述多晶硅栅的顶部表面而形成的围栏结构。

2.如权利要求1所述的侧墙的制造方法，其特征在于，还包括如下步骤：

步骤五、在形成有所述第一层侧墙的所述多晶硅栅的侧面形成由第三氮化硅层组成的第二层侧墙。

3.如权利要求2所述的侧墙的制造方法，其特征在于：所述第二层侧墙采用先生长第三氮化硅层，之后再进行自对准干法刻蚀形成所述第二层侧墙。

4.如权利要求1所述的侧墙的制造方法，其特征在于：步骤三中所述修饰处理的离子注入的离子为氢离子。

5.如权利要求1所述的侧墙的制造方法，其特征在于：步骤二中，位于所述多晶硅栅顶部的所述硬质掩模层和所述第二氮化硅层的叠加厚度小于等于

6.如权利要求2所述的侧墙的制造方法，其特征在于：步骤一中所述半导体衬底采用SOI衬底，所述SOI衬底包括底部体硅、埋氧化层和顶部硅层。

7.如权利要求6所述的侧墙的制造方法，其特征在于：所述多晶硅栅对应的晶体管为薄掩埋氧化物上硅晶体管；所述栅介质层形成在所述顶部硅层表面上。

8.如权利要求7所述的侧墙的制造方法，其特征在于：所述栅介质层为栅氧化层。

9.如权利要求7所述的侧墙的制造方法，其特征在于：在所述半导体衬底上形成有场氧层，由所述场氧层隔离出有源区。

10.如权利要求9所述的侧墙的制造方法，其特征在于：所述场氧层为采用浅沟槽隔离工艺形成。

11.如权利要求7所述的侧墙的制造方法，其特征在于：在步骤五之后还包括步骤：

步骤六、采用外延生长工艺在形成有所述第二层侧墙的所述多晶硅栅外的所述半导体衬底表面形成半导体外延层。

12.如权利要求11所述的侧墙的制造方法，其特征在于：在进行所述半导体外延层的外延生长工艺之前还包括对所述半导体衬底表面进行清洗的步骤。

13.如权利要求11所述的侧墙的制造方法，其特征在于：所述半导体外延层为硅外延层。

14.如权利要求11所述的侧墙的制造方法，其特征在于：在步骤六之后还包括步骤：

步骤七、在所述多晶硅栅两侧的所述半导体外延层中形成源区和漏区。

15.如权利要求1所述的侧墙的制造方法，其特征在于：步骤三中所述修饰处理的离子注入为垂直注入。