[发明专利]用于感测电阻可变存储器单元的设备和方法在审

专利信息
申请号: 201910476576.8 申请日: 2014-04-15
公开(公告)号: CN110097910A 公开(公告)日: 2019-08-06
发明(设计)人: 费迪南多·贝代斯基;罗伯托·加斯塔尔迪 申请(专利权)人: 美光科技公司
主分类号: G11C13/00 分类号: G11C13/00;G11C11/16
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 王龙
地址: 美国爱*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 存储器单元 数据状态 可变存储器 编程信号 感测电阻 初始数据状态 编程 施加 关联
【权利要求书】:

1.一种设备,其包括:

电阻可变存储器单元的阵列(100);以及

控制器(412),其耦合到所述阵列且经配置以控制:

通过以下操作而确定存储器单元(106)的数据状态:

将编程信号施加到所述存储器单元(222),所述编程信号与将存储器单元编程为特定数据状态相关联;

将在将所述编程信号施加到所述存储器单元时在第一时间周期期间关联于所述存储器单元的信号与在将所述编程信号施加到所述存储器单元时在第二时间周期期间关联于所述存储器单元的信号进行比较(226);以及

确定在施加所述编程信号期间所述存储器单元的所述数据状态是否从初始数据状态改变为所述特定数据状态(228,230,232)。

2.根据权利要求1所述的设备,其中所述控制器经配置以控制感测在所述第一时间周期期间关联于所述存储器单元的所述信号且感测在所述第二时间周期期间关联于所述存储器单元的所述信号(224)。

3.根据权利要求1所述的设备,其中所述控制器经配置以:如果在所述第一时间周期期间关联于所述存储器单元的所述信号与在所述第二时间周期期间关联于所述存储器单元的所述信号相差小于阈值量,那么确定所述存储器单元处于所述特定数据状态中(232)。

4.根据权利要求1所述的设备,其中所述控制器经配置以:如果在所述第一时间周期期间关联于所述存储器单元的所述信号与在所述第二时间周期期间关联于所述存储器单元的所述信号相差大于或等于阈值量,那么确定所述存储器单元处于不同于所述特定数据状态的数据状态中(228)。

5.根据权利要求4所述的设备,其中所述控制器经配置以:当在所述第一时间周期期间关联于所述存储器单元的所述信号与在所述第二时间周期期间关联于所述存储器单元的所述信号相差大于或等于阈值量时,控制施加与将存储器单元编程为不同于所述特定数据状态的所述数据状态相关联的编程信号(229)。

6.根据权利要求1所述的设备,其中将在所述第一时间周期期间关联于所述存储器单元的所述信号与在所述第二时间周期期间关联于所述存储器单元的所述信号进行比较包含使用改变确定组件(414)。

7.根据权利要求1所述的设备,其中所述改变确定组件包含第一电容器(550,570,592)及比较器(552,572,594)。

8.一种用于感测电阻可变存储器单元的方法,其包括:

将编程信号施加到存储器单元(222),所述编程信号与将存储器单元编程为特定数据状态相关联;

在第一时间周期期间感测在将所述编程信号施加到所述存储器单元时关联于所述存储器单元的信号(224);

在第二时间周期期间感测在将所述编程信号施加到所述存储器单元时关联于所述存储器单元的信号(224);

通过将在所述第一时间周期期间及在所述第二时间周期期间感测的所述信号进行比较而确定在施加所述编程信号期间所述存储器单元的数据状态是否从初始数据状态改变为所述特定数据状态(226)。

9.根据权利要求8所述的方法,进一步包含:如果施加所述编程信号未使所述存储器单元的所述数据状态从所述初始数据状态改变为所述特定数据状态,那么确定所述存储器单元的所述数据状态是所述特定数据状态(232)。

10.根据权利要求9所述的方法,进一步包含:当确定所述存储器单元处于所述特定数据状态时,将所述存储器单元留在所述特定数据状态。

11.根据权利要求9所述的方法,进一步包含:当确定所述存储器单元处于所述特定数据状态时,将所述存储器单元编程到所述特定数据状态以刷新所述存储器单元(233)。

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