[发明专利]超结场效应晶体管的制作方法

权利要求书

1.一种超结场效应晶体管的制作方法，其特征于，所述制作方法包括：

对所述超结场效应晶体管的光刻胶层进行曝光显影处理，以在所述光刻胶层上形成曝光窗口，所述曝光窗口的坡度为85°～88°。

2.如权利要求1所述的超结场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述光刻胶层的厚度为1.8μm～2.2μm。

3.如权利要求1所述的超结场效应晶体管的制作方法，其特征于，所述曝光窗口的顶部开口宽度为3.60μm～3.78μm。

4.如权利要求1所述的超结场效应晶体管的制作方法，其特征在于，对所述光刻胶层进行曝光显影处理的步骤之前，还包括：

制备N+衬底；

在所述N+衬底上生长本征外延；

在所述本征外延内注入N型离子，形成N型离子层；

在所述本征外延和所述N型离子层的表面涂覆光刻胶。

5.如权利要求4所述的超结场效应晶体管的制作方法，其特征在于，对所述光刻胶层进行曝光显影处理的步骤之后，还包括：

沿所述曝光窗口往所述N型离子层注入P型离子，以形成P柱区；

对所述超结场效应晶体管进行剥膜处理，以去除所述光刻胶。

6.如权利要求5所述的超结场效应晶体管的制作方法，其特征在于，去除所述光刻胶的步骤之后，还包括：

判断所述本征外延的厚度、所述N型离子层的厚度和所述P柱区的厚度是否到达厚度阈值，并在判断为否时，返回生长本征外延的步骤。

7.如权利要求6所述的超结场效应晶体管的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：

在所述P柱区的上端制作P-body体区；

在所述本征外延的上表面制作金属层，所述金属层包括源极区和栅极区，所述源极区和所述栅极区相互隔离；

从所述N+衬底引出漏极，从所述源极区引出源极，从所述栅极区引出栅极。