[发明专利]一种硅片中重金属的处理分析方法及处理装置

权利要求书

1.一种硅片中重金属的处理分析方法，其特征在于，包括以下步骤：

在结晶方位上对待处理硅片进行切割，得到包括检测区域的样品硅片；

对所述样品硅片的表面进行清洗；

将清洗后的所述样品硅片置于硝酸和氢氟酸的混合蒸汽中进行溶解，得到样品硅片处理液。

2.根据权利要求1所述的处理分析方法，其特征在于，将所述样品硅片的表面进行清洗，包括：

将所述样品硅片置于硝酸和氢氟酸的混合蒸汽中对所述样品硅片的表面进行清洗。

3.根据权利要求1所述的处理分析方法，其特征在于，还包括以下步骤：

向所述样品硅片处理液中加入氢氟酸溶液并蒸发干燥，得到第一处理样品；

将所述第一处理样品加入硝酸水溶液中得到测量溶液；

检测所述测量溶液中的重金属。

4.一种硅片的处理装置，其特征在于，包括：

容器，所述容器内限定有用于容纳包括硝酸溶液和氢氟酸溶液的混合溶液的第一腔室和与所述第一腔室连通的第二腔室；

加热机构，用于加热所述第一腔室中的所述混合溶液，以使所述混合溶液蒸发形成硝酸和氢氟酸的混合蒸汽且所述混合蒸汽能够进入所述第二腔室；

样品盒，所述样品盒置于所述第二腔室中以用于盛装样品硅片，所述混合蒸汽能够进入所述样品盒中以使所述样品硅片在所述混合蒸汽中溶解。

5.根据权利要求4所述的处理装置，其特征在于，所述容器为外侧包覆有聚四氟乙烯的金属材质或陶瓷材质容器，所述加热机构包括罩形加热器，所述罩形加热器套设在所述容器的外侧。

6.根据权利要求4所述的处理装置，其特征在于，所述容器为柱状，所述第一腔室位于所述容器的底部，所述第二腔室位于所述容器的顶部，所述容器内设有柱状的导气管，所述导气管的一端与所述第一腔室的开口连通，所述导气管的另一端伸入所述第二腔室且与所述第二腔室连通，所述导气管的轴线与所述容器的轴线共线。

7.根据权利要求6所述的处理装置，其特征在于，所述容器上分别设有与所述第二腔室连通的进气口和出气口，所述进气口与所述出气口关于所述容器的轴线对称，所述第二腔室中邻近所述进气口和所述出气口的位置分别设有一个带有通孔的多孔板，两个所述多孔板关于所述容器的轴线对称，所述样品盒的数量为多个且分别置于相应的所述多孔板上。

8.根据权利要求7所述的处理装置，其特征在于，还包括：

两个温度计，两个所述温度计均设置于所述第二腔室中，其中一个所述温度计位于所述导气管的上方，另一个所述温度计位于邻近所述出气口的所述多孔板的上方。

9.根据权利要求7所述的处理装置，其特征在于，还包括：

惰性气体供应装置，所述惰性气体供应装置与所述进气口连通，以向所述第二腔室中通入惰性气体。

10.根据权利要求9所述的处理装置，其特征在于，所述惰性气体供应装置与所述进气口之间设有连接管以连通所述惰性气体供应装置与所述进气口，所述连接管上分别设有流量计和过滤器。