[发明专利]四氧化三钴氧化物半导体二甲苯传感器及其制备方法与应用

权利要求书

1.一种Co₃O₄氧化物半导体二甲苯传感器的制备方法，包括以下步骤：

(1)首先利用恒磁搅拌将0.24g CoCl₂·6H₂O、0.29g Na₃C₆H₅O₇·2H₂O和0.48g CO(NH₂)₂溶解在20ml去离子水中，继续搅拌20分钟；

(2)向(1)中所得溶液中逐滴加入溶解了0.08g NaOH的10ml水溶液并不断搅拌；

(3)将(2)中所得溶液倒入聚四氟乙烯衬里的高压反应釜中，并将其从室温加热至180℃并维持加热12小时；

(4)待(3)中温度降低至室温后，将产物收集并进行离心冲洗；

(5)将(4)中清洗后的产物在80℃下干燥12小时后，然后放入400℃的马弗炉中烧结2小时；最终获得叶片状的Co₃O₄；

(6)将所述叶片状的Co₃O₄与去离子水混合成糊状，之后将其涂覆在外表面套设有两个平行且彼此分隔的环形Au电极的Al₂O₃陶瓷管的外表面，形成敏感材料薄膜，所述敏感材料薄膜完全覆盖住环形Au电极；

(7)把外表面形成有敏感材料薄膜的Al₂O₃陶瓷管先置于 烘箱中并在70℃下烘烤15分钟，之后再放入马弗炉中于400℃下煅烧2小时；然后将镍镉合金线圈穿过Al₂O₃陶瓷管内部作为加热丝；最后对得到的器件进行焊接和封装，得到Co₃O₄氧化物半导体二甲苯传感器；

所述Co₃O₄氧化物半导体二甲苯传感器包括：外表面套设有两个平行且彼此分隔的环形Au电极的Al₂O₃陶瓷管，连接在每个所述环形Au电极上的铂丝，涂覆在所述Al₂O₃陶瓷管外表面和环形Au电极上的半导体氧化物敏感材料，和置于所述Al₂O₃陶瓷管内的镍镉合金线圈，所述半导体氧化物敏感材料为叶片状的Co₃O₄。

2.权利要求1所述制备方法制得的Co₃O₄氧化物半导体二甲苯传感器在检测石油加工或大气环境中二甲苯浓度上的应用。