[发明专利]一种堆叠结构的智能功率模块及其制造方法

权利要求书

1.一种堆叠结构的智能功率模块，其特征在于，所述堆叠结构的智能功率模块包括：

引线框架；

第一芯片，其设置在所述引线框架上，所述第一芯片包括导电层、设置在所述导电层下方的非功能层、以及容置在所述非功能层下部的功能层，其中，

所述非功能层设有导电孔，所述导电孔用于将所述导电层和所述功能层电性连接，并且所述导电孔用于将所述导电层与所述引线框架电性连接；

第二芯片和第三芯片，所述第二芯片和所述第三芯片均设置在所述第一芯片的上方，且所述第二芯片和所述第三芯片均与所述导电层电性连接；

连接桥，其与所述第二芯片和所述第三芯片以及所述导电层电性连接；

包封体，其用于封装所述第一芯片、所述第二芯片、所述第三芯片和所述连接桥以及部分所述引线框架；

所述导电孔包括从所述非功能层的上表面向下延伸至所述功能层的导电盲孔，和从所述非功能层的上表面向下延伸至所述非功能层的下表面的导电通孔；

所述非功能层构造为槽口向下的凹槽结构，所述导电通孔上下贯穿所述凹槽的侧壁，所述导电盲孔上下贯穿所述凹槽的槽底壁。

2.根据权利要求1所述的堆叠结构的智能功率模块，其特征在于，所述堆叠结构的智能功率模块还包括设置在所述引线框架下方且容置在所述包封体内部的绝缘散热块。

3.根据权利要求2所述的堆叠结构的智能功率模块，其特征在于，所述绝缘散热块由陶瓷材料制成。

4.根据权利要求1所述的堆叠结构的智能功率模块，其特征在于，所述引线框架与所述导电孔之间、所述引线框架与所述功能层之间、所述导电层与所述第二芯片之间、所述导电层与所述第三芯片之间、所述连接桥与所述第二芯片之间以及所述连接桥与所述第三芯片之间均通过焊锡球进行电性连接。

5.根据权利要求1所述的堆叠结构的智能功率模块，其特征在于，所述连接桥由金属铜制成。

6.根据权利要求1所述的堆叠结构的智能功率模块，其特征在于，所述包封体由环氧树脂材料注塑成型。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的堆叠结构的智能功率模块，其特征在于，所述第一芯片、所述第二芯片和所述第三芯片分别为驱动IC芯片、IGBT芯片和FRD芯片。

8.一种堆叠结构的智能功率模块的制造方法，其特征在于，其用于制造根据权利要求1-7任一项所述的堆叠结构的智能功率模块，包括以下步骤：

S10：提供引线框架，并在所述引线框架上设置第一芯片，其中，

所述第一芯片包括导电层、设置在所述导电层下方的非功能层、以及容置在所述非功能层下部的功能层；

S20：在所述非功能层设置导电孔，使得所述导电层和所述功能层电性连接，并使得所述导电层与所述引线框架电性连接；

S30：在所述第一芯片的上方设置第二芯片和第三芯片，并使所述第二芯片和所述第三芯片均与所述导电层电性连接；

S40：设置连接桥，使所述连接桥与所述第二芯片和所述第三芯片以及所述导电层电性连接；

S50：利用包封体将所述第一芯片、所述第二芯片、所述第三芯片、所述连接桥和部分所述引线框架进行封装。

9.根据权利要求8所述的堆叠结构的智能功率模块的制造方法，其特征在于，步骤S40和步骤S50之间还包括：

步骤S00:在所述引线框架的下方设置绝缘散热板，并将所述绝缘散热板容置在所述包封体的内部。