[发明专利]剥离晶圆上光刻胶的清洗装置在审
| 申请号： | 201910477637.2 | 申请日： | 2019-06-03 |
| 公开（公告）号： | CN110379733A | 公开（公告）日： | 2019-10-25 |
| 发明（设计）人： | 孙彬;凌坚 | 申请（专利权）人： | 厦门通富微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人： | 郭栋梁 |
| 地址： | 361000 福建省厦门市中国（福建）自由贸易试验区*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶圆 清洗槽 晃动 出液开口 清洗装置 光刻胶 分力 上光 料盒 剥离 方向垂直 晶圆表面 倾斜设置 图形开孔 旋转机构 依次设置 轴心转动 开孔 载架 残留 驱动 申请 | ||
1.一种剥离晶圆上光刻胶的清洗装置，其特征在于，包括清洗槽、晃动机构、载架和用于设置晶圆的料盒，所述晃动机构、所述载架和所述清洗槽沿一方向依次设置，所述清洗槽靠近所述载架的一侧上设有出液开口，所述出液开口的出液方向垂直于所述清洗槽底，所述料盒倾斜设置于所述载架内，所述载架固定连接于所述晃动机构上，所述载架顶端设有驱动所述载架绕其轴心转动的旋转机构。
2.根据权利要求1所述的剥离晶圆上光刻胶的清洗装置，其特征在于，所述料盒的倾斜角度等于所述出液方向与所述晶圆之间的夹角A，所述夹角A为锐角。
3.根据权利要求1或2所述的剥离晶圆上光刻胶的清洗装置，其特征在于，还包括角度调节机构，所述角度调节机构构造成能够调节所述料盒的倾斜角度。
4.根据权利要求3所述的剥离晶圆上光刻胶的清洗装置，其特征在于，所述载架包括底部结构和侧部结构，所述料盒设于所述底部机构上；所述角度调节机构包括伸缩机构，所述伸缩机构的一端与所述侧部结构铰接，另一端与所述底部结构铰接。
5.根据权利要求4所述的剥离晶圆上光刻胶的清洗装置，其特征在于，还包括锁紧机构，所述锁紧机构构造成使所述料盒在所述载架内定位。
6.根据权利要求5所述的剥离晶圆上光刻胶的清洗装置，其特征在于，所述锁紧机构包括设在所述料盒上的卡条和设在所述载架侧壁上的卡槽，所述料盒通过所述卡条插入所述卡槽内来进行锁紧定位。
7.根据权利要求1所述的剥离晶圆上光刻胶的清洗装置，其特征在于，所述清洗槽靠近所述载架的一侧设有至少一喷嘴。
8.根据权利要求7所述的剥离晶圆上光刻胶的清洗装置，其特征在于，所述至少一个喷嘴包括多个喷嘴，多个所述喷嘴沿晶圆的设置方向排成一排，每个所述晶圆对应一个所述喷嘴。
9.根据权利要求7或8所述的剥离晶圆上光刻胶的清洗装置，其特征在于，所述喷嘴的喷射形状为锥形或扇形。
10.根据权利要求9所述的剥离晶圆上光刻胶的清洗装置，其特征在于，所述喷嘴上设有可调节气流大小的阀门。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
