[发明专利]一种直接在晶圆片上沉积过渡衬底薄膜的CSP器件及其制备方法

权利要求书

1.一种直接在晶圆片上沉积过渡衬底薄膜的CSP器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）将已放置晶圆的载板装置放入PECVD设备的反应腔室内，抽真空，升温后在沉积过程中维持温度恒定；

（2）将PECVD设备以及晶圆载板装置连通中频或者射频电源；

（3）将晶圆片倒置，持续通入惰性气体和反应气体，得到镀上薄膜的晶圆片；

（4）关闭所述中频或者射频电源，停止通入反应气体，取出步骤（3）所述镀上薄膜的晶圆片；

（5）将镀上薄膜的晶圆片正置，镀上金属电极，然后涂覆一层荧光胶；

（6）将镀上金属电极的晶圆片切割成单个CSP器件，得到所述直接在晶圆片上沉积过渡衬底薄膜的CSP器件。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）所述抽真空使反应腔室的压力为0.10-0.25mbar。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）所述升温的速率为15-25℃/min；升温后反应腔室内的温度为200-400摄氏度。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）所述中频或者射频电源的功率为2600-3200W，频率为1-2.5Ghz。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（3）所述反应气体为沉积薄膜所需的气体，该气体的总流量为1800-2200sccm；所述反应气体包括N₂O气体、SiH₄气体、PMDA及ODE。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（3）所述惰性气体的总流量为3600-4400sccm；流速为1-20立方米每秒，惰性气体通入量与反应气体通入量的体积比为1.5-2；步骤（3）所述薄膜的厚度为70-100nm。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（5）所述荧光胶厚度为500 -2000μm，步骤（5）所述金属电极的厚度为70-100nm，所述金属电极的材质为金属银。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）所述晶圆载板装置包括载板主体（4）、模具单元（6）和隔模板（8）；载板主体（4）上设有电极层（5），所述模具单元（6）和隔膜板（8）内嵌在载板主体（4）内，模具单元（6）外部与载板主体（4）相贴合，叠置在一起。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述模具单元（6）的外部是于载板主体相贴合，叠置在一起，模具单元（6）内部是根据晶圆片大小进行凹槽的设计；所述隔膜板（8）上面有与晶圆片上电极对应的网状式结构；所述载板主体的材料包括绝缘陶瓷；电极层的材料包括铬锆铜；模具单元的材料为石墨，隔膜板材料为绝缘陶瓷。

10.由权利要求1-9任一项所述的制备方法制得的一种直接在晶圆片上沉积过渡衬底薄膜的CSP器件。