[发明专利]氮气鼓泡装置及其制作方法在审
申请号: | 201910479259.1 | 申请日: | 2019-06-03 |
公开(公告)号: | CN110201960A | 公开(公告)日: | 2019-09-06 |
发明(设计)人: | 赵宝君;吴光庆;王文丽;袁恋;夏楠君 | 申请(专利权)人: | 北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所) |
主分类号: | B08B11/00 | 分类号: | B08B11/00;B08B3/10;B08B13/00;H01L21/67 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 丁睿 |
地址: | 100176 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氮气鼓泡装置 氮气流 匀流板 氮气 半导体晶圆 密封板 连通 氮气进气管 封闭安装 晶圆清洗 出气管 开口处 鼓泡 接孔 流孔 制作 清洗 缓解 加工 | ||
本发明提供了一种氮气鼓泡装置及其制作方法,涉及半导体晶圆加工的晶圆清洗技术领域,氮气鼓泡装置包括密封板以及设有多个匀流孔的匀流板;匀流板的一面设有氮气流槽,匀流板的另一面设有多个与氮气流槽连通的第一氮气孔,密封板封闭安装在氮气流槽的开口处,氮气流槽的两端形成分别与氮气进气管和氮气出气管连通的接孔。缓解了现有技术中的氮气鼓泡装置结构复杂,可靠性低以及其对半导体晶圆的鼓泡清洗的精准性低的技术问题。
技术领域
本发明涉及半导体晶圆加工的晶圆清洗技术领域,具体而言,涉及一种氮气鼓泡装置及其制作方法。
背景技术
随着半导体工业的发展,器件工艺技术的关键尺寸不断缩小,在每道加工工艺中对晶圆的洁净度有了更高的要求。目前的晶圆湿法清洗可以分为多槽式、旋转冲洗甩干以及单片腐蚀清洗三种方式,其中,槽式清洗以其高效的工作方式,以及近年来湿化学设备的不断升级改进,槽式清洗在湿法清洗中仍具有重要地位。QDR(Quick DumpRinse,快排冲洗)槽几乎是每种湿法清洗设备的标准配置。半导体晶圆放入氮气鼓泡装置的快排冲洗槽后,氮气由氮气孔排出的气泡在运动和爆裂过程中产生的冲击力可以有效的去除晶圆表面的污物。
现有的氮气鼓泡装置结构复杂,产生氮气气泡的气管与设有用于匀流超纯水的匀流孔的匀流板分别独立安装在快排冲洗槽内,在对半导体晶圆进行清洗时,气管和匀流板容易发生相对移动,可靠性低,也易影响对半导体晶圆的精准鼓泡清洗。
发明内容
本发明的目的在于提供一种氮气鼓泡装置及其制作方法,以缓解现有技术中的氮气鼓泡装置结构复杂,可靠性低以及其对半导体晶圆的鼓泡清洗的精准性低的技术问题。
本发明提供一种氮气鼓泡装置,包括密封板以及设有多个匀流孔的匀流板;
所述匀流板的一面设有氮气流槽,所述匀流板的另一面设有多个与所述氮气流槽连通的第一氮气孔,所述密封板封闭安装在所述氮气流槽的开口处,所述氮气流槽的两端形成分别与氮气进气管和氮气出气管连通的接孔。
进一步的,所述密封板的形状与所述氮气流槽的形状相匹配,所述密封板焊接固定在所述匀流板上。
进一步的,所述密封板设有多个连通所述氮气流槽和外界的第二氮气孔。
进一步的,多个所述第一氮气孔沿所述氮气流槽的长度方向等间距设置。
进一步的,还包括两个接头,两个所述接孔均设置在所述匀流板设有所述第一氮气孔的一面,两个所述接头分别安装在两个所述接孔处。
进一步的,还包括两个接头,两个所述接孔均设置在所述匀流板的侧面,两个所述接头分别安装在两个所述接孔处。
进一步的,所述匀流板为方形板,所述氮气流槽呈S形设置在所述匀流板上。
进一步的,所述匀流板为圆形板,所述氮气流槽呈螺旋形设置在所述匀流板上。
进一步的,还包括快排冲洗槽,所述匀流板安装在所述快排冲洗槽的底部并使所述第一氮气孔朝上设置。
本发明还提供一种氮气鼓泡装置的制作方法,用于制作上述所述的氮气鼓泡装置,包括如下步骤:
S1:在匀流板上加工多个匀流孔,随后,在匀流板的顶面和底面未加工匀流孔的区域加工一条氮气流槽;
S2:在氮气流槽上沿其长度方向加工多个贯穿匀流板的第一氮气孔;
S3:将密封板焊接在氮气流槽的一侧开口处,完成氮气流槽除第一氮气孔和两端接孔的密封;
S4:在氮气流槽的两端接孔安装用于连接氮气进气管和氮气出气管的接头。
相对于现有技术,本发明提供的氮气鼓泡装置及其制作方法的有益效果如下:
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