[发明专利]结合基底的设备和结合基底的方法在审
申请号: | 201910479796.6 | 申请日: | 2019-06-04 |
公开(公告)号: | CN111180356A | 公开(公告)日: | 2020-05-19 |
发明(设计)人: | 金会哲;金东亿;金兑泳 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/50 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 尹淑梅;刘灿强 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 结合 基底 设备 方法 | ||
1.一种基底结合设备,所述基底结合设备包括:
下吸盘,下吸盘被构造为支撑位于下吸盘的上表面上的下基底;
上吸盘,上吸盘被构造为面对下吸盘,使得上吸盘的下表面面对下吸盘的上表面,上吸盘被构造为支撑位于上吸盘的下表面上的上基底;
电致动器,位于上吸盘的中心部分上,电致动器被构造为使结合销穿过上吸盘下降以将压力施加到支撑在上吸盘的下表面上的上基底;
第一压力传感器,位于下吸盘的侧部处,第一压力传感器被构造为感测在下基底和上基底结合在一起之前由结合销施加到第一压力传感器的下降压力;以及
控制器,被构造为控制由结合销施加的下降压力。
2.根据权利要求1所述的基底结合设备,其中,
第一压力传感器被构造为基于由第一压力传感器感测到的下降压力而产生第一压力感测信号;并且
控制器被构造为在下基底和上基底结合在一起之前基于第一压力感测信号来调整由结合销施加的下降压力。
3.根据权利要求2所述的基底结合设备,其中,控制器被构造为:
将根据第一压力感测信号的第一压力值与预设的压力值进行比较,并且
响应于第一压力值是大于还是小于预设的压力值的确定来调整由结合销施加的下降压力。
4.根据权利要求1所述的基底结合设备,所述基底结合设备还包括:
第二压力传感器,位于下吸盘的中心部分处,使得第二压力传感器位于下吸盘的上表面下方,并被构造为位于支撑在下吸盘的上表面上的下基底下方,第二压力传感器被构造为实时地感测由结合销施加到第二压力传感器的下降压力。
5.根据权利要求4所述的基底结合设备,其中,
第二压力传感器被构造为基于由第二压力传感器感测到的下降压力产生第二压力感测信号,并且
控制器被构造为基于第二压力感测信号来调整由结合销施加的下降压力。
6.根据权利要求5所述的基底结合设备,其中,控制器被构造为:
将根据第二压力感测信号的第二压力值与预设的压力值进行比较,并且
响应于第二压力值是大于还是小于预设的压力值的确定而调整由结合销施加的下降压力。
7.根据权利要求1所述的基底结合设备,其中,控制器被构造为:
将由结合销施加的下降压力的大小增大到第一压力,以使上基底的中心部分与上吸盘分离;
在通过结合销使上基底的中心部分与上吸盘分离并推向下基底之后,将由结合销施加的下降压力的大小减小到小于第一压力的第二压力;以及
在使下基底和上基底彼此接触之后,将由结合销施加的下降压力增大到大于第一压力的第三压力。
8.根据权利要求1所述的基底结合设备,其中,
下吸盘包括多个下真空吸孔;并且
所述基底结合设备还包括下真空泵,下真空泵连接到所述多个下真空吸孔,并被构造为通过所述多个下真空吸孔朝向下真空泵抽吸空气以使下基底固定在下吸盘的上表面上。
9.根据权利要求1所述的基底结合设备,其中,
上吸盘包括多个上真空吸孔;并且
所述基底结合设备还包括上真空泵,上真空泵连接到所述多个上真空吸孔,并被构造为通过所述多个上真空吸孔朝向上真空泵抽吸空气以使上基底固定在上吸盘的下表面上。
10.根据权利要求1所述的基底结合设备,其中,所述基底结合设备被构造为将下基底和上基底结合在一起以制造图像传感器或动态随机存取存储器。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910479796.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造