[发明专利]一种低结电容特性太赫兹肖特基二极管及其制作方法

权利要求书

1.一种低结电容特性太赫兹肖特基二极管，其特征在于，包括：衬底、应力缓冲层、沟道层、凸面以及空气桥；

所述衬底、所述应力缓冲层、所述沟道层自下而上依次设置，所述凸面设于所述沟道层的上表面，所述凸面包括第一凸面以及第二凸面；所述第一凸面与所述第二凸面之间设有间隙；所述第一凸面包括第一势垒层以及第一盖帽层；所述第一势垒层设于所述沟道层的上表面，所述第一盖帽层设于所述第一势垒层的上表面；所述第一凸面上刻蚀有半通孔；所述半通孔穿透所述第一势垒层以及所述第一盖帽层，且刻蚀至所述沟道层，并刻蚀断所述沟道层的二维电子气；所述第一盖帽层上涂覆有欧姆接触金属以及肖特基接触金属；所述欧姆接触金属与所述肖特基接触金属之间设有沟道；所述肖特基接触金属还涂覆于所述半通孔的内壁与底部；

所述第二凸面包括第二势垒层以及第二盖帽层；所述第二势垒层设于所述沟道层的上表面，所述第二盖帽层设于所述第二势垒层的上表面；所述第二盖帽层上涂覆有欧姆接触金属；

所述空气桥为指状空气桥，所述指状空气桥包括固定端以及连接臂；所述固定端与所述连接臂固定连接；所述连接臂上设有连接柱；所述固定端设于所述第二凸面上，所述连接臂延伸至所述第一凸面上，且所述连接柱与所述半通孔相匹配，所述连接臂直接与所述沟道层的二维电子气相接触。

2.根据权利要求1所述的低结电容特性太赫兹肖特基二极管，其特征在于，所述空气桥为镂空空气桥。

3.根据权利要求1所述的低结电容特性太赫兹肖特基二极管，其特征在于，所述第一凸面上的所述肖特基接触金属的上表面设有第一厚金，所述第二凸面上的所述欧姆接触金属的上表面设有第二厚金；所述第一厚金与所述第二厚金的厚度相同。

4.根据权利要求3所述的低结电容特性太赫兹肖特基二极管，其特征在于，所述第二厚金的面积大于所述第一厚金的面积。

5.根据权利要求1所述的低结电容特性太赫兹肖特基二极管，其特征在于，所述沟道的深度等于所述第一凸面上肖特基接触金属的厚度；所述沟道内部填充有绝缘的钝化层。

6.根据权利要求1所述的低结电容特性太赫兹肖特基二极管，其特征在于，所述肖特基接触金属为镍金属。

7.根据权利要求1所述的低结电容特性太赫兹肖特基二极管，其特征在于，所述沟道层为氮化镓沟道层。

8.根据权利要求1所述的低结电容特性太赫兹肖特基二极管，其特征在于，所述第一势垒层以及所述第二势垒层均为氮化铝镓势垒层。

9.根据权利要求1所述的低结电容特性太赫兹肖特基二极管，其特征在于，所述第一盖帽层以及所述第二盖帽层均为氮化镓盖帽层。

10.一种低结电容特性太赫兹肖特基二极管的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底上依次涂覆应力缓冲层、沟道层、势垒层与盖帽层；

刻蚀所述盖帽层、所述势垒层以及所述沟道层，形成第一凸面和第二凸面；所述第一凸面上刻蚀一个半通孔；

在所述第一凸面上蒸镀欧姆接触金属和肖特基接触金属，同时，在所述第二凸面上蒸镀欧姆接触金属；

利用光刻胶隔离所述第一凸面上的所述肖特基接触金属和所述欧姆接触金属；

电镀加厚所述第一凸面上的肖特基接触金属以及所述第二凸面上的欧姆接触金属；

抬离光刻胶，通过空气桥连接所述第一凸面上的肖特基接触金属以及所述第二凸面上的欧姆接触金属，形成低结电容特性太赫兹肖特基二极管。