[发明专利]一种功率半导体用自动固晶机及其固晶工艺

权利要求书

1.一种功率半导体用自动固晶机，其特征在于，包括：贯穿整个装置的传输装置，传输装置两端分别为上料区和下料区，两区之间设有固晶区，所述固晶区设于气体保护腔室内，所述气体保护腔室内沿传输装置的输送方向依次设有超声波钎料涂敷装置、自动贴片装置和冷却装置，超声波钎料涂敷装置和自动贴片装置均通过机械臂自动完成钎料涂敷和贴片动作。

2.根据权利要求1所述的功率半导体用自动固晶机，其特征在于，传输装置包括传送台和输送轨道，传送台沿着输送轨道往复移动，传送台上设有测量陶瓷电路板高度的激光测高装置。

3.根据权利要求1所述的功率半导体用自动固晶机，其特征在于，上料区与固晶区之间设有预热区，预热区温度为150-500℃，所述预热通过红外加热管或升降式加热台进行预热。

4.根据权利要求1所述的功率半导体用自动固晶机，其特征在于，还包括气体循环净化装置，气体循环净化装置包括循环泵和除氧净化装置，循环泵和除氧净化装置与气体保护腔室串联连接。

5.根据权利要求1所述的功率半导体用自动固晶机，其特征在于，所述气体保护腔室内的气体为氧含量低于500PPM的氮气或氩气。

6.根据权利要求1所述的功率半导体用自动固晶机，其特征在于，超声波钎料涂敷装置包括超声波烙铁和送丝装置，送丝装置将焊丝送入超声波烙铁下方的陶瓷电路板表面。

7.根据权利要求6所述的功率半导体用自动固晶机，其特征在于，超声波烙铁上设有加热装置，加热装置将烙铁加热至150-600℃。

8.根据权利要求6所述的功率半导体用自动固晶机，其特征在于，超声波烙铁的频率为30-80KHZ。

9.根据权利要求1-8任一所述的功率半导体用自动固晶机的固晶工艺，其特征在于，包括以下步骤：

1）在上料区将陶瓷电路板加载在传送台上；

2）传送台带着陶瓷电路板进入气体保护腔室；

3）传送台将陶瓷电路板移至超声波钎料涂敷装置下方并进行涂敷钎料；

4）传送台继续移至自动贴片装置下方，自动贴片装置拾取芯片并将其放置在陶瓷电路板的指定位置；

5）继续经过冷却装置冷却后，即固晶完成，传送台移出气体保护腔室进入下料区卸载。

10.根据权利要求9所述的功率半导体用自动固晶机的固晶工艺，其特征在于，所述冷却装置为风冷装置或是带有水冷的冷却板，所述冷却板或为可升降运动的冷却板。