[发明专利]形成集成电路装置的方法

权利要求书

1.一种形成集成电路装置的方法，其特征在于，包括：

提供一基板，该基板具有一遮罩层位于该基板之上及一牺牲层位于该遮罩层之上；

形成并图案化一第一保护层于该牺牲层上；

图案化该牺牲层以形成多个心轴和位于所述多个心轴旁的一心轴标记；

沿着所述多个心轴和该心轴标记的周边形成间隔物，其中该周边包括所述多个心轴的两侧和两端；

形成一第二保护层以覆盖所述多个心轴的一第一部分和该心轴标记，并暴露出所述多个心轴的一第二部分；

移除所述多个心轴的该暴露的第二部分及沿着所述多个心轴的该第二部分的两侧和两端上的间隔物；

移除所述多个心轴的该第一部分，并余留沿着所述多个心轴的该第一部分的两侧上的间隔物；

形成位于剩余的所述间隔物旁的一虚设保护层于该遮罩层的一虚设区域之上；以及

根据剩余的所述间隔物和该虚设保护层来图案化该遮罩层，以形成一装置遮罩、一虚设遮罩、以及一遮罩层标记于该基板之上。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括：

在形成该遮罩层之前，形成一装置层于该基板之上，其中该遮罩层接着形成在该装置层上；以及

根据该装置遮罩和该遮罩层标记来图案化该装置层，以形成一装置结构及一装置级标记结构。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中所述多个心轴和该心轴标记是通过一第一光微影制程所同时形成，该第一光微影制程包括通过一第一蚀刻光罩来曝光和显影一第一光阻，并根据显影的该第一光阻来蚀刻该牺牲层，其中该第一蚀刻光罩包括与所述多个心轴和该心轴标记对应的开口。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，其中该第二保护层是通过执行一第二光微影制程所形成，该第二光微影制程包括通过一第二蚀刻光罩来曝光和显影一第二光阻，其中该第二蚀刻光罩通过定位该心轴标记与该间隔物的相应部分来对准。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，其中形成该第二保护层包括形成一正光阻层并使用一第二蚀刻光罩来图案化该正光阻层。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，其中该虚设保护层是通过执行一第三光微影制程所形成，该第三光微影制程包括通过一第三蚀刻光罩来曝光和显影一第三光阻。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，其中该第三蚀刻光罩与剩余的所述间隔物对齐。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中移除所述多个心轴的该第一部分还包括将该心轴标记与所述多个心轴的该第一部分一起移除。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中所述间隔物是通过沉积一间隔物材料，然后对该间隔物材料进行一非等向性蚀刻所形成。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该第二保护层的开口决定该装置遮罩的端点。

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该遮罩层是由一第一氮化硅层、设置在该第一氮化硅层之上的一非晶碳层、以及设置在该非晶碳层之上的一第二氮化硅层所制成。

12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该牺牲层是由非晶硅、非晶碳、灰化可去除介电质或其组合所制成。