[发明专利]基于层状黑亚磷同质结的亚10nm垂直隧穿晶体管在审
| 申请号： | 201910482541.5 | 申请日： | 2019-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN110459591A | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 吉娜;程庆苏;渠开放;王伟 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/24;H01L29/78 |
| 代理公司： | 32204 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) | 代理人： | 柏尚春<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 210003江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 二氧化硅 亚磷 下层 同质结 上层 场效应管 底栅 顶栅 漏极 隧穿 源极 垂直 二氧化硅组成 路线图 低功耗应用 国际半导体 隧穿晶体管 技术发展 高功耗 上端 二维 分层 下端 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于层状黑亚磷同质结的亚10nm垂直隧穿晶体管，其特征在于：由顶栅(1)、底栅(2)、上层二氧化硅(3)、黑亚磷(4)、源极(5)、漏极(6)、下层二氧化硅(7)组成；所述的顶栅(1)位于上层二氧化硅(3)上端，底栅位于下层二氧化硅(7)下端，黑亚磷(4)同质结位于上层二氧化硅(3)与下层二氧化硅(7)之间，源极(5)及漏极(6)分别位于上层二氧化硅(3)与下层二氧化硅(7)区间的左侧和右侧。
2.根据权利要求1所述的基于层状黑亚磷同质结的亚10nm垂直隧穿晶体管，其特征在于：所述的黑亚磷(4)同质结为两个部分垂直堆叠的单层黑亚磷。
3.根据权利要求1所述的基于层状黑亚磷同质结的亚10nm垂直隧穿晶体管，其特征在于：所述的黑亚磷(4)可使用六方氮化硼覆盖、PxOy氧化层或Al2O3和疏水性含氟聚合物封装的双层封端。
4.根据权利要求1所述的基于层状黑亚磷同质结的亚10nm垂直隧穿晶体管，其特征在于：所述的黑亚磷(4)可与其他二维材料范德华堆叠。
5.根据权利要求1所述的基于层状黑亚磷同质结的亚10nm垂直隧穿晶体管，其特征在于：所述的亚10nm垂直隧穿晶体管为沿扶手椅方向的器件。
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