[发明专利]高功率MOS芯片与控制芯片组合封装结构与封装方法

权利要求书

1.一种高功率MOS芯片与控制芯片组合封装方法，其特征在于，包括以下步骤；

步骤S1，提供一金属框架(1)，所述金属框架(1)设有一凹陷部(101)；金属框架(1)上预先制有线路，便于连接MOS芯片和控制芯片；

步骤S2，在金属框架(1)背面的凹陷部(101)中通过倒装焊工艺焊接MOS芯片(4)；MOS芯片(4)与金属框架(1)上的相应焊垫通过凸件(5)连接；

步骤S3，在MOS芯片(4)的背面贴装金属散热片(6)；金属散热片(6)与MOS芯片(4)背面的漏极相连；

步骤S4，在金属框架(1)背面和金属散热片(6)背面贴装胶带(7)；所述胶带(7)盖住金属框架(1)的凹陷部(101)；

步骤S5，在金属框架(1)凹陷部所对应的正面突出部安装控制芯片(8)；

步骤S6，对正装的控制芯片(8)进行焊金属线(9)作业，使得金属线(9)连接控制芯片(8)和金属框架(1)上相应焊垫；

步骤S7，塑封料(10)填充：通过压缩或注塑工艺，将金属框架正面、金属框架背面的凹陷部内、金属线外围填充塑封料；

步骤S8，去除胶带(7)，然后在金属散热片(6)背面，以及金属框架(1)背面需要进行输出连接的位置上焊锡(11)。

2.如权利要求1所述的高功率MOS芯片与控制芯片组合封装方法，其特征在于，

步骤S1中，在金属框架凹陷部(101)中设有通孔(2)，以及引导槽(3)。

3.如权利要求1所述的高功率MOS芯片与控制芯片组合封装方法，其特征在于，

步骤S2中，凸件(5)是铜柱，或者焊球；MOS芯片(4)底部至少设有一处引导槽(3)。

4.如权利要求1所述的高功率MOS芯片与控制芯片组合封装方法，其特征在于，

步骤S3中，金属散热片(6)的背面与金属框架(1)凹陷部外围的平整部背面齐平或大致齐平。

5.一种高功率MOS芯片与控制芯片组合封装结构，其特征在于，包括：金属框架(1)、MOS芯片(4)、金属散热片(6)、控制芯片(8)、金属线(9)、塑封料(10)；

所述金属框架(1)设有一凹陷部(101)；金属框架(1)上预先制有线路，便于连接MOS芯片和控制芯片；

在金属框架(1)背面的凹陷部(101)中倒装焊接有MOS芯片(4)；MOS芯片(4)与金属框架(1)上的相应焊垫通过凸件(5)连接；在MOS芯片(4)的背面贴装有金属散热片(6)；金属散热片(6)与MOS芯片(4)背面的漏极相连；

在金属框架(1)凹陷部所对应的正面突出部安装有控制芯片(8)；控制芯片(8)通过金属线(9)与金属框架(1)上相应焊垫连接；

在金属框架正面、金属框架背面的凹陷部内、金属线外围设有塑封料(10)；

在金属散热片(6)背面，以及金属框架(1)背面需要进行输出连接的位置设有焊锡(11)。

6.如权利要求5所述的高功率MOS芯片与控制芯片组合封装结构，其特征在于，

凸件(5)是铜柱，或者焊球。

7.如权利要求5所述的高功率MOS芯片与控制芯片组合封装结构，其特征在于，

MOS芯片(4)底部至少设有一处引导槽(3)。

8.如权利要求5所述的高功率MOS芯片与控制芯片组合封装结构，其特征在于，

在金属框架凹陷部(101)中设有通孔(2)。