[发明专利]浪涌抑制模块及其制作方法

权利要求书

1.浪涌抑制模块，其特征在于：金属管壳两端分别通过金属底板和铜基板密封，所述金属底板和铜基板之间设有FR-4电路板，所述FR-4电路板一面通过连接柱固定在铜基板上，另一半与引脚柱电连接，所述引脚柱伸出所述金属底板外，元器件固定在铜基板的内侧面和FR-4电路板上，由所述铜基板和金属底板直接的金属管壳腔体内填充满硅橡胶组合物；

所述引脚柱包括VIN+、VIN-、VOUT+和VOUT-，所述VIN+连接TVS管的负端、电阻R1的一端、电阻R2的一端和MOS管的漏极，所述VIN-连接TVS管D1的正端、稳压芯片M1的第三端、二极管D3的正端、电容C1的一端、电容C2的一端、芯片U1的1脚电容C4的一端以及VOUT-，所述VOUT+连接MOS管的源级、二极管D5的正端以及电容C4的一端；所述二极管D5的负端与二极管D4的正端、电容C3的一端相连、所述电容C3的另一端与电阻R5的一端相连，所述芯片U1的3脚与电阻R5的另一端相连，所述芯片U1的8脚与芯片U1的4脚、电阻R3的一端、稳压芯片M1的第二端相连，所述芯片U1的7脚与电阻R4的一端相连，所述芯片U1的6脚与电阻R4的另一端、芯片U1的2脚、电阻R3的另一端、电容C1的另一端相连，所述芯片U1的5脚与电容C2的另一端相连，所述MOS管Q1的栅极与电阻R2的另一端、二极管D4的负端、二极管D3的负端相连。

2.根据权利要求1所述的浪涌抑制模块，其特征在于：所述铜基板的外侧面设有镀镍层，所述铜基板、金属底板和金属管壳的接合处均设有一层锡膜，所述铜基板上的元器件通过导电银胶粘接到铜基板上，所述FR-4电路板的元器件焊接到FR-4电路板上，所述连接柱和引脚柱均通过焊接固定在FR-4的电路板2上，所述连接柱焊接固定在铜基板上，所述铜基板和金属管壳的接合处通过焊接固定，所述金属底板和金属管壳的接合处通过焊接固定。

3.制作如权利要求1或2所述浪涌抑制模块的方法，其特征在于：

步骤1、清洗金属管壳、铜基板、FR-4电路板和金属底板后，将金属管壳和金属底板吹干，将铜基板和FR-电路板烘干；

步骤2、铜基板外侧面镀镍，之后冲洗、烘干；

步骤3、将铜基板、金属管壳和金属底板一起放置到加热平台预热，之后对铜基板、金属管壳和金属底板连接处均匀覆锡；

步骤4、将MOS管、电阻和电容按照装配图用导电银胶粘接到铜基板上；

步骤5、将驱动芯片、电阻、电容、二极管按照装配图焊接到FR-4电路板上；

步骤6、将之前加工好的FR-4电路板、铜基板和金属管壳进行清洗，清洗后再进行烘干；

步骤7、将FR-4电路板、铜基板和金属管壳一起放置到加热平台预热，利用连接柱将FR-4电路板和铜基板连接制成浪涌抑制模块半成品；

步骤8、将金属管壳和浪涌抑制模块半成品放置到加热平台上预热，之后将将铜基板和金属管壳焊接起来；

步骤9、清洗制成件，之后进行烘干；

步骤10、将硅橡胶组合物灌入金属管壳内，直至硅橡胶组合物完全盖住所有元器件，然后固化处理；

步骤 11、将金属底板与金属管壳焊接。

4.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于：所述步骤1中，把铜基板、金属管壳和金属底板分别放置玻璃器皿用无水乙醇浸泡5min～10min, 再用毛刷轻轻刷洗表面进行清洗，之后金属管壳和金属底板用氮气吹干，铜基板和FR-4电路板放置到烘箱烘干，所述步骤1、2、6、9烘干均采用烘箱烘干，所述步骤1、2、6中，烘箱温度为45℃～55℃，烘干时间15min～20min。

5.根据权利要求3所述的制作方法，其特征在于：所述步骤2中，将铜基板有电路的一面用纸胶带保护，然后用线材捆绑铜基板将铜基板放入电镀溶液，放置时间为45min～55min，之后取出铜基板去掉纸胶带和线材后用清水冲洗，再放入烘箱烘干。