[发明专利]一种基于掺杂硅的光调制太赫兹宽带吸波器在审
| 申请号： | 201910484113.6 | 申请日： | 2019-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN110048239A | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 郎婷婷;沈婷婷;胡杰 | 申请（专利权）人： | 中国计量大学 |
| 主分类号： | H01Q17/00 | 分类号： | H01Q17/00;H01Q15/00;G02B5/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 吸波 超材料层 硅衬底层 太赫兹波 掺杂硅 吸收率 单元结构阵列 光泵浦源 光调制 宽带 载流子 光调制功能 泵浦光束 电磁共振 宽带吸收 三层结构 耦合 正入射 掺硼 入射 吸收 隐身 成像 调制 带宽 激发 检测 通信 加工 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于掺杂硅的光调制太赫兹宽带吸波器，其特征在于：包括三层结构，由下至上依次为硅衬底层(1)、超材料层(2)和光泵浦源(3)；所述超材料层(2)由单元结构阵列组成，在xoy平面内周期性的排列在所述硅衬底层(1)上；当太赫兹波入射到吸波器时，被耦合进吸波器中并激发电磁共振，实现对太赫兹波的宽带吸收，光泵浦源(3)产生泵浦光束，正入射到硅衬底层(1)和超材料层(2)上，改变掺杂硅的载流子浓度，实现吸波器吸收频带、吸收率的光调制功能。
2.根据权利要求1所述的一种基于掺杂硅的光调制太赫兹宽带吸波器，其特征在于：所述硅衬底层(1)的材质为掺硼的p型硅，在一个周期内，硅衬底层(1)在x方向和y方向上的周期长度相等。
3.根据权利要求1所述的一种基于掺杂硅的光调制太赫兹宽带吸波器，其特征在于：所述超材料层(2)的材质为掺硼的p型硅，单元结构在x方向和y方向上的长度小于硅衬底层(1)的周期长度。
4.根据权利要求1所述的一种基于掺杂硅的光调制太赫兹宽带吸波器，其特征在于：所述光泵浦源(3)产生具有不同能量密度的泵浦光束。
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