[发明专利]一种半导体TSV结构的制造工艺方法及半导体TSV结构

权利要求书

1.一种半导体TSV结构的制造工艺方法，其特征在于，包括：

在硅片正面刻蚀正面环状间隙，所述正面环状间隙包括第一内壁、第一外壁，所述第一外壁或所述第一内壁包括一个以上的第一凸起结构，所述第一凸起结构的第一凸起部朝向相对侧壁的方向，所述第一凸起结构从所述第一外壁或所述第一内壁的上端延伸至下端，所述环状间隙包围的硅片部分作为导电结构；

在所述正面环状间隙的第一内壁和第一外壁生长绝缘层。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述正面环状间隙具体为正面环状槽或环状通孔。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，若所述正面环状间隙具体为正面环状槽，在所述正面环状槽的第一内壁和第一外壁生长绝缘层之后，还包括：

将所述硅片背面减薄至露出所述正面环状槽底端。

4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，若所述正面环状间隙具体为正面环状槽，在所述正面环状槽的第一内壁和第一外壁生长绝缘层之后，还包括：

在所述硅片的背面刻蚀背面环状槽，使得所述背面环状槽的底端与所述正面环状槽的底端接通，所述背面环状槽包括第二内壁、第二外壁以及底端，所述第二外壁或所述第二内壁包括一个以上的第二凸起结构，所述第二凸起结构的第二凸起部朝向相对侧壁的方向，所述第二凸起结构从所述第二外壁或所述第二内壁的下端延伸至上端；

在所述背面环状槽的第二内壁和第二外壁生长绝缘层。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述一个以上的第一凸起结构和所述一个以上的第二凸起结构具体为如下任意一种：

半圆柱结构、三棱柱结构、长方体结构和梯形体结构。

6.如权利要求4所述的方法，其特征在于，在所述正面环状间隙具体为正面环状槽时，在所述正面环状槽的第一内壁和第一外壁生长绝缘层之后，和/或在所述背面环状槽的第二内壁和第二外壁生长绝缘层之后，还包括：

在所述绝缘层上沉积支撑层。

7.如权利要求1或4所述的方法，其特征在于，所述绝缘层具体为如下任意一种：氧化硅、氮化硅。

8.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述支撑层具体为如下任意一种或多种：多晶硅、氧化硅、氮化硅。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述正面环状间隙的截面具体呈圆形环状、方形环状或三角形环状。

10.一种半导体TSV结构，其特征在于，包括：

硅片以及绝缘层；

所述硅片正面具有正面环状间隙，所述正面环状间隙将所述硅片分割为内部的导电结构和外围的支撑结构，所述正面环状间隙包括第一内壁、第一外壁，所述第一外壁或第一内壁包括一个以上第一凸起结构，所述第一凸起结构的第一凸起部朝向相对侧壁的方向，所述第一凸起结构从所述第一外壁或所述第一内壁的上端延伸至下端；

所述绝缘层填充于所述正面环状间隙内。