[发明专利]研磨用组合物、研磨方法及基板的制造方法有效
| 申请号： | 201910485288.9 | 申请日： | 2015-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN110283572B | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 大和泰之 | 申请（专利权）人： | 福吉米株式会社 |
| 主分类号： | C09K3/14 | 分类号： | C09K3/14;B24B37/00;H01L21/768;H01L21/321;H01L21/306;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 研磨 组合 方法 制造 | ||
【权利要求书】：
1.一种研磨用组合物，其用于对以下的层进行研磨的用途，所述层包含具有在pH6以下的水溶液中显示出正的zeta电位的pH区域的物质，
所述研磨用组合物含有磨粒(A)、磨粒(B)和pH调节剂，
所述磨粒(A)为表面固定有有机酸的胶体二氧化硅，
所述磨粒(B)为表面固定有有机酸的胶体二氧化硅，且在pH6以下的水溶液中具有负的zeta电位，并且所述磨粒(B)的平均二次粒径的值比所述磨粒(A)的平均二次粒径的值小且为15nm以下，
所述磨粒(A)的含量/所述磨粒(B)的含量为10~500，
所述研磨用组合物的pH为6以下。
2.根据权利要求1所述的研磨用组合物，其中，所述磨粒(A)的平均一次粒径为15nm以上，所述磨粒(B)的平均一次粒径为13nm以下。
3.根据权利要求1或2所述的研磨用组合物，其中，所述磨粒(A)的平均缔合度为2.0以上，所述磨粒(B)的平均缔合度为1.7以下。
4.一种研磨方法，其用权利要求1或2所述的研磨用组合物对以下的层进行研磨，所述层包含具有在pH6以下的水溶液中显示出正的zeta电位的pH区域的物质。
5.一种基板的制造方法，其包括通过权利要求4所述的研磨方法进行研磨的工序，所述基板具有以下的层，所述层包含具有在pH6以下的水溶液中显示出正的zeta电位的pH区域的物质。
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