[发明专利]集成基片间隙波导馈电缝隙耦合超表面线极化天线在审
申请号: | 201910485878.1 | 申请日: | 2019-06-05 |
公开(公告)号: | CN110165400A | 公开(公告)日: | 2019-08-23 |
发明(设计)人: | 申东娅;周养浩;袁洪 | 申请(专利权)人: | 云南大学 |
主分类号: | H01Q1/38 | 分类号: | H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q1/50;H01Q15/00 |
代理公司: | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人: | 韩雪 |
地址: | 650091 云*** | 国省代码: | 云南;53 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 介质板 波导馈电 缝隙耦合 极化天线 表面线 敷铜层 上表面 方形贴片 集成基片 下表面 表面辐射结构 电磁带隙结构 蚀刻 毫米波天线 印刷 波导结构 传输能量 发明集成 基片间隙 矩形缝隙 空白介质 能量耦合 微带馈线 圆形贴片 周期排列 低剖面 高增益 蘑菇状 屏蔽性 易加工 分隔 宽带 电路 金属 | ||
1.集成基片间隙波导馈电缝隙耦合超表面线极化天线,其特征在于:包括天线辐射结构、集成基片间隙波导结构,所述天线辐射结构、集成基片间隙波导结构从上到下依次排列重叠;集成基片间隙波导结构包括电磁带隙结构和用于向天线辐射结构传输能量的类波导馈电结构;所述类波导馈电结构包括第二介质板(2),第二介质板(2)的上表面敷设有第一敷铜层(7),所述第一敷铜层(7)中部刻蚀有缝隙;所述第二介质板(2)的下表面设置有微带馈线(8),所述微带馈线(8)从第二介质板(2)的一端向第二介质板(2)的中部延伸并越过缝隙。
2.如权利要求1所述的集成基片间隙波导馈电缝隙耦合超表面线极化天线,其特征在于:所述缝隙为矩形缝隙(6),矩形缝隙(6)刻蚀在第一敷铜层(7)中部;所述微带馈线(8)完全越过矩形缝隙(6)。
3.如权利要求1或2所述的集成基片间隙波导馈电缝隙耦合超表面线极化天线,其特征在于:所述天线辐射结构为超表面结构,天线辐射结构包括第一介质板(1),第一介质板(1)的上表面设置有周期排列的方形贴片(5),所述第一介质板(1)的下表面与第一敷铜层(7)相连,所述微带馈线(8)通过第一敷铜层(7)上的矩形缝隙(6)向天线辐射结构提供能量。
4.如权利要求3所述的集成基片间隙波导馈电缝隙耦合超表面线极化天线,其特征在于:所述类波导馈电结构与电磁带隙结构之间设置有第三介质板(3),所述第三介质板(3)将类波导馈电结构与电磁带隙结构相隔离;第三介质板(3)上表面与微带馈线(8)相连。
5.如权利要求4所述的集成基片间隙波导馈电缝隙耦合超表面线极化天线,其特征在于:所述电磁带隙结构包括第四介质板(4),所述第四介质板(4)的下表面设置有第二敷铜层(11);所述第四介质板(4)的上表面设置有印刷有周期排列的圆形贴片(9)所述圆形贴片(9)与第二敷铜层(11)之间的第四介质板(4)上开有通孔,通孔的轴线与圆形贴片(9)的圆心在同一直线上。
6.如权利要求5所述的集成基片间隙波导馈电缝隙耦合超表面线极化天线,其特征在于:所述通孔的侧壁上设置有金属片并形成金属过孔(10),金属过孔(10)将第二敷铜层(11)与圆形贴片(9)相连通。
7.如权利要求6所述的集成基片间隙波导馈电缝隙耦合超表面线极化天线,其特征在于:所述第四介质板(4)上表面印刷的圆形贴片(9)、周期排列的金属过孔(10)和第四介质板(4)下表面的第二敷铜层(11)共同构成蘑菇状电磁带隙结构;第四介质板(4)能防止由敷铜层(7)和微带馈线(8)输送的能量发生泄漏。
8.如权利要求4-7其中之所述的集成基片间隙波导馈电缝隙耦合超表面线极化天线,其特征在于:所述第一介质板(1)、第二介质板(2)、第三介质板(3)采用介电常数为2.2、损耗角正切为0.0009的材质制成;所述第四介质板(4)采用介电常数为4.4、损耗角正切为0.02的材质制成;所述天线的总尺寸为12mm*12mm*0.1.362mm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于云南大学,未经云南大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910485878.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。