[发明专利]用于生成读取/编程/擦除电压的补偿电路

说明书

补偿电路可以包括参考电流生成电路，该参考电流生成电路包括被配置为传送第一电流的第一宽度的第一晶体管。参考生成电路可以基于第一电流输出参考电流。补偿电路可以包括补偿电流生成电路，该补偿电流生成电路包括被配置为传送第二电流的第二宽度的第二晶体管。第二晶体管可以基于代码从第一组晶体管当中选择。第一组晶体管可以具有与第一宽度成比例的宽度。补偿电流生成电路可以基于第二电流输出具有与参考电流的幅度成比例地选择的幅度的补偿电流。补偿电路可以包括电流镜电路，该电流镜电路被配置为输出其幅度基于第二电流的幅度和第二宽度的补偿电压。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年6月8日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2018-0066044号的优先权，其全部内容通过引用整体并入本文。

技术领域

本文公开的发明构思的实施例涉及电子电路，并且更具体地，涉及包括在存储器设备中的电子电路。

背景技术

随着诸如计算机、移动电话和智能手机等信息设备的发展进步，大量信息可能会被存储在信息设备中并由信息设备处理。因此，更高性能的存储器设备可以被用作信息设备的组件。由于半导体存储器可以低功率工作，所以半导体存储器可以用于存储器设备中。

半导体存储器的示例包括易失性存储器和非易失性存储器。易失性存储器的示例可以包括静态随机存取存储器(static random access memory，SRAM)、动态RAM(dynamicRAM，DRAM)、同步DRAM(synchronous DRAM，SDRAM)等。非易失性存储器的示例包括闪速存储器、相变RAM(phase-change RAM，PRAM)、磁阻RAM(magneto-resistive RAM，MRAM)、电阻RAM(resistive RAM，ReRAM)、铁电RAM(ferroelectric RAM，FRAM)等。

半导体存储器可以包括用于存储数据的存储器单元。存储在存储器单元中的数据可以随着特定幅度的电压被提供给存储器单元而被读取。存储器单元的特性可能受到诸如温度等条件的影响。因此，为了准确地感测(读取/编程/擦除)存储在存储器单元中的数据，所提供的电压的幅度具有可以考虑对存储器单元有影响的条件而确定的幅度。

发明内容

本发明构思的一些实施例可以提供一种电子电路，该电子电路被配置为生成用于感测存储在存储器设备中的数据的电压。

根据一些实施例，可以提供补偿电路。补偿电路可以包括参考电流生成电路、补偿电流生成电路、电流镜电路和输出晶体管。参考电流生成电路可以包括被配置为传送第一电流的第一宽度的第一晶体管，并且可以被配置为基于第一电流输出参考电流。补偿电流生成电路可以包括基于代码从第一组晶体管当中选择的第一宽度的第二晶体管。第一组晶体管可以具有与第一宽度成比例的宽度。补偿电流生成电路可以被配置为基于第二电流输出具有与参考电流的幅度成比例地选择的幅度的补偿电流。电流镜电路可以被配置为输出具有基于第二电流的幅度的幅度的补偿电压。输出晶体管可以被配置为基于补偿电压输出感测电压。代码可以具有第一值、第二值和第三值。第一值和第二值之间的差可以与第二值和第三值之间的差相同。基于第一值输出的电压的第一幅度和基于第一值输出的电压的第二幅度之间的差可以对应于基于第三值输出的电压的第二幅度和第三幅度之间的差。