[发明专利]消弧线圈并联低电阻接地装置试验方法、设备及存储介质

权利要求书

1.一种消弧线圈并联低电阻接地装置试验方法，其特征在于，包括以下步骤：

依次控制第一开关模块、第二开关模块及第三开关模块进行N次投切，以依次模拟单次单相金属性接地故障、单次单相阻抗接地故障及单次单相电弧接地故障；其中，所述第一开关模块、第二开关模块、第三开关模块的第一端接入三相系统，所述第一开关模块的第二端接地；所述第二开关模块的第二端通过一对地电阻接地；所述第三开关模块的第二端通过一熔丝接地；在所述单次单相金属性接地故障、单次单相阻抗接地故障、单次单相电弧接地故障中的任一单次单相故障状态下，控制消弧线圈并联低电阻接地装置中的低电阻接地电阻器进行投切；其中，在单次单相故障状态下接地持续时间大于低电阻接地电阻器的延时投入时间；

获取单次单相金属性接地故障、单次单相阻抗接地故障、单次单相电弧接地故障时对应的低电阻投切参数，作为第一试验参数；其中，所述低电阻投切参数包括：所述低电阻接地电阻器未投入时的中性点对地电压、消弧线圈输出的补偿电流和接地点电流，所述低电阻接地电阻器投入时的所述低电阻接地电阻器的电流，低电阻接地电阻器的切除时刻；

当所述第一试验参数符合预设的单次单相接地试验条件时，确定所述消弧线圈并联低电阻接地装置通过单次单相接地故障试验。

2.如权利要求1所述的消弧线圈并联低电阻接地装置试验方法，其特征在于，所述方法还包括：

依次控制所述第一开关模块及第二开关模块进行N次间歇性投切，以依次模拟间歇性单相金属性接地故障及间歇性单相阻抗接地故障；

在所述间歇性单相金属性接地故障、间歇性单相阻抗接地故障中的任一间歇性单相故障状态下，控制消弧线圈并联低电阻接地装置中的低电阻接地电阻器进行投切；

获取间歇性单相金属性接地故障、间歇性单相阻抗接地故障时对应的低电阻投切参数，作为第二试验参数；

当所述第二试验参数符合预设的间歇性单相接地试验条件时，确定所述消弧线圈并联低电阻接地装置通过间歇性单相接地故障试验。

3.如权利要求2所述的消弧线圈并联低电阻接地装置试验方法，其特征在于，所述方法还包括：

控制所述第一开关模块进行单次投切，以模拟单次单相金属性接地故障；

在所述单次单相金属性接地故障下，控制消弧线圈并联低电阻接地装置中的低电阻接地电阻器不投入，以模拟低电阻投入失败；其中，低电阻接地电阻器的接地持续时间大于投入低电阻接地电阻器的延时投入时间；

获取单次单相金属性接地故障时低电阻投入失败对应的低电阻投切参数，作为第三试验参数；

当所述第三试验参数符合预设的低电阻投入试验条件时，确定所述消弧线圈并联低电阻接地装置通过低电阻投入失败试验。

4.如权利要求3所述的消弧线圈并联低电阻接地装置试验方法，其特征在于，所述方法还包括：

控制所述第一开关模块进行单次投切，以模拟单次单相金属性接地故障；

在所述单次单相金属性接地故障下，控制消弧线圈并联低电阻接地装置中的低电阻接地电阻器进行投入，并在所述低电阻接地电阻器的投入时间达到预设的时间后控制所述低电阻接地电阻器不退出，以模拟低电阻退出失败；其中，低电阻接地电阻器的接地持续时间大于投入低电阻接地电阻器的延时投入时间；

获取单次单相金属性接地故障时低电阻退出失败对应的低电阻投切参数，作为第四试验参数；

当所述第四试验参数符合预设的低电阻退出试验条件时，确定所述消弧线圈并联低电阻接地装置通过低电阻退出失败试验。