[发明专利]衬底处理装置及衬底处理方法在审
申请号: | 201910486814.3 | 申请日: | 2019-06-05 |
公开(公告)号: | CN111383947A | 公开(公告)日: | 2020-07-07 |
发明(设计)人: | 吉水康人;北川白马;守田峻海 | 申请(专利权)人: | 东芝存储器株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/673;H01L21/68;H01L21/02 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 杨林勳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 处理 装置 方法 | ||
1.一种衬底处理装置,具有:台,载置衬底,将所述衬底连接于阳极;对向电极,以与所述台对向的方式配置,具有多个孔,且与阴极连接;及保持部,以介隔所述对向电极而与所述台对向的方式配置,一面保持所述对向电极一面对所述对向电极供给药液。
2.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其中所述台与所述保持部同步旋转。
3.根据权利要求1或2所述的衬底处理装置,其中所述对向电极为板状。
4.根据权利要求1或2所述的衬底处理装置,其中所述对向电极为毛状体或网状体。
5.根据权利要求1所述的衬底处理装置,其中所述衬底与所述对向电极为非接触。
6.根据权利要求4所述的衬底处理装置,其中作为所述毛状体或所述网状体的多个所述对向电极是相互分离地配置,且所述多个对向电极从旋转中心以放射状分散配置。
7.一种衬底处理方法,将衬底载置在台上,将所述衬底连接于阳极,将具有多个孔且与阴极连接的对向电极以与所述台对向的方式配置,且一面利用以介隔所述对向电极而与所述台对向的方式配置的保持部保持所述对向电极,一面从所述保持部对所述对向电极供给药液。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造