[发明专利]近红外带通滤光片及光学传感系统

权利要求书

1.一种近红外带通滤光片，其特征在于，包括：基底、主膜系和辅膜系，所述主膜系位于所述基底的第一侧上，所述辅膜系位于所述基底的第二侧上，所述第二侧与所述第一侧相对；

所述主膜系包括按第一预设堆叠结构设置的高折射率膜层和第一低折射率膜层；

所述辅膜系包括按第二预设堆叠结构设置的第二低折射率膜层和第三低折射率膜层，所述第三低折射率膜层的折射率与所述第二低折射率膜层的折射率不同，或者，所述辅膜系包括按第二预设堆叠结构设置的所述高折射率膜层与所述第二低折射率膜层；

在780nm至3000nm波长范围内，所述近红外带通滤光片具有至少一个通带，在温度从-150℃改变至300℃时，所述至少一个通带的中心波长的漂移量小于0.15nm/℃。

2.根据权利要求1所述的近红外带通滤光片，其特征在于，在温度从-30℃改变至85℃时，所述近红外带通滤光片的通带中心波长的漂移量小于0.09nm/℃。

3.根据权利要求1所述的近红外带通滤光片，其特征在于，对应780nm至3000nm波长范围内的任一波长，所述高折射率膜层的折射率均大于3。

4.根据权利要求3所述的近红外带通滤光片，其特征在于，所述高折射率膜层的消光系数小于0.01。

5.根据权利要求4所述的近红外带通滤光片，其特征在于，对应850nm波长处，所述高折射率膜层的折射率大于3.6，消光系数小于0.005。

6.根据权利要求1所述的近红外带通滤光片，其特征在于，所述主膜系的厚度d_f1满足：d_f1＜7μm；所述辅膜系的厚度d_f2满足：d_f2＜8μm。

7.根据权利要求1所述的近红外带通滤光片，其特征在于，所述高折射率膜层的一部分的晶体结构为晶态，另一部分的晶体结构为非晶态；

所述晶体结构为晶态的部分的体积与所述高折射率膜层的体积之间的比率处于10％至20％以内。

8.根据权利要求1所述的近红外带通滤光片，其特征在于，所述高折射率膜层的材料包括氢化硅、氢化锗、掺硼氢化硅、掺硼氢化锗、掺氮氢化硅、掺氮氢化锗、掺磷氢化硅、掺磷氢化锗或Si_xGe_1-x中的一种或多种的混合物，其中，0＜x＜1。

9.根据权利要求1所述的近红外带通滤光片，其特征在于，所述第一低折射率膜层的材料、所述第二低折射率膜层的材料及所述第三低折射率膜层的材料各自包括SiO₂、Si₃N₄、SiO_pN_q、Ta₂O₅、Nb₂O₅、TiO₂、Al₂O₃、SiCN、SiC的一种或多种的混合物，其中，

q＝(4-2p)/3,0＜p＜1。

10.根据权利要求1所述的近红外带通滤光片，其特征在于，沿背离所述基底的方向，所述第一预设堆叠结构的形式为：(L₁-H)^s-L₁，或者，(H-L₁)^s；

所述H代表所述高折射率膜层，所述L₁代表所述第一低折射率膜层，所述s代表括号内的结构形式重复的次数，s为大于等于1的整数。

11.根据权利要求1所述的近红外带通滤光片，其特征在于，所述主膜系还包括第四低折射率膜层，所述第一低折射率膜层的折射率不等于所述第四低折射率膜层的折射率。