[发明专利]硒硫化锑电池组件及其制备方法

权利要求书

1.一种硒硫化锑电池组件，包括依次层叠的基底、TCO导电层、前电性传输层、硒硫化锑层、后电性传输层及背电极层，所述TCO导电层被多个相互平行的第一切割槽分割，所述第一切割槽被所述硒硫化锑层填充，所述硒硫化锑电池组件还包括平行设于第一切割槽旁边的第二切割槽，所述第二切割槽分割所述后电性传输层、硒硫化锑层和前电性传输层，所述背电极层填充所述第二切割槽并与TCO导电层连接，其特征在于：

所述第二切割槽的底面包括位于所述TCO导电层上表面的多个凹型曲面。

2.如权利要求1所述的硒硫化锑电池组件，其特征在于：所述第二切割槽的底面包括位于所述TCO导电层上表面的多个沿第二切割槽长度方向排布的凹槽。

3.如权利要求2所述的硒硫化锑电池组件，其特征在于：所述凹槽在第二切割槽的长度方向排布的数量为5～20个。

4.如权利要求1所述的硒硫化锑电池组件，其特征在于：所述第二切割槽的底面包括排布于所述TCO导电层上表面的多个弧形凹面。

5.如权利要求4所述的硒硫化锑电池组件，其特征在于：所述多个弧形凹面均匀排布，构成弧形凹面阵列。

6.如权利要求1-5任一项所述的硒硫化锑电池组件，其特征在于：所述基底材料包括但不限于钢化玻璃、石英、碳、硅或有机柔性材料。

7.如权利要求1-5任一项所述的硒硫化锑电池组件，其特征在于：所述背电极层包括但不限于金属电极、碳电极或TCO电极。

8.一种如权利要求1-7任一项所述的硒硫化锑电池组件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、在基底上进行TCO导电层镀膜，制备第一切割槽，并进行前电性传输层镀膜、硒硫化锑层镀膜和后电性传输层镀膜；

S2、使用激光加工第二切割槽，其中，激光照射点沿在第二切割槽长度方向均匀排布的切割线移动，且光斑直径大于等于所述切割线间距；

S3、在切割后的后电性传输层上制备背电极层。

9.如权利要求8所述的硒硫化锑电池组件的制备方法，其特征在于，所述激光照射点沿所述切割线移动的间隔大于光斑直径。

10.如权利要求8或9所述的硒硫化锑电池组件的制备方法，其特征在于，还包括：

S4、在制备了背电极层的电池组件上制备第三切割槽，所述第三切割槽分割所述背电极层、后电性传输层及硒硫化锑层。