[发明专利]一种像素驱动电路及其驱动方法,以及显示面板有效

专利信息
申请号: 201910487031.7 申请日: 2019-06-05
公开(公告)号: CN110164361B 公开(公告)日: 2020-12-25
发明(设计)人: 陈瑶;高超;李海燕;陈燕武;古涛 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;重庆京东方光电科技有限公司
主分类号: G09G3/32 分类号: G09G3/32
代理公司: 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 代理人: 张昕;曲鹏
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 像素 驱动 电路 及其 方法 以及 显示 面板
【权利要求书】:

1.一种像素驱动电路,其特征在于,包括:充电子电路和稳压子电路;

并联的预充电信号端和扫描信号端分别与所述充电子电路的第一输入端电连接,所述充电子电路的第二输入端与数据信号端电连接,输出端与所述稳压子电路的第一输入端电连接;

所述稳压子电路的第二输入端通过像素晶体管与电源电压电连接,输出端与公共电压电连接;

所述像素驱动电路,用于通过所述充电子电路的第一输入端输入的预充电信号导通所述充电子电路,并通过已导通的所述充电子电路的第二输入端输入的第一数据信号对所述稳压子电路进行预充电,预充电后所述稳压子电路的第一输入端的第一电压值小于或等于用于导通所述稳压子电路的阈值电压;

所述稳压子电路包括:稳压电容和像素驱动晶体管,所述稳压电容的正极和所述像素驱动晶体管的栅极并列的电连接到所述充电子电路的输出端,所述稳压电容的负极和所述像素驱动晶体管的源极并列的电连接到所述公共电压,所述像素驱动晶体管的漏极电连接到所述像素晶体管的阴极,所述像素晶体管的阳极电连接到所述电源电压;

所述像素驱动电路还包括:

连接于所述稳压子电路的第一输入端与所述像素驱动晶体管的栅极之间的开关子电路,所述开关子电路的第一输入端与用于输出参考信号的参考信号端电连接,第二输入端电连接到所述稳压子电路的第一输入端,输出端电连接到所述像素驱动晶体管的栅极;

所述像素驱动电路,还用于在所述参考信号指示所述充电子电路由所述预充电信号导通时断开所述开关子电路,在所述参考信号指示所述充电子电路由所述扫描信号导通时导通所述开关子电路。

2.根据权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,所述充电子电路包括:第一N型金属氧化物半导体NMOS晶体管,所述第一NMOS晶体管的栅极电连接到所述充电子电路的第一输入端,漏极电连接到所述充电子电路的第二输入端,源极电连接到所述充电子电路的输出端。

3.根据权利要求1~2中任一项所述的像素驱动电路,其特征在于,所述第一数据信号的电压值小于或等于所述第一电压值。

4.根据权利要求1所述的像素驱动电路,其特征在于,所述开关子电路包括P型金属氧化物半导体PMOS晶体管和第二NMOS晶体管,所述PMOS晶体管的栅极电连接到所述开关子电路的第一输入端,源极电连接到所述电源电压,漏极与所述第二NMOS的栅极电连接,所述第二NMOS的漏极电连接到所述开关子电路的第二输入端,源极电连接到所述开关子电路的输出端;

所述像素驱动电路,还用于在所述预充电信号导通所述充电子电路时,对所述参考信号提供高电平以断开所述PMOS晶体管和所述第二NMOS晶体管,在所述时钟电信号导通所述充电子电路时,对所述参考信号提供低电平以导通所述PMOS晶体管和所述第二NMOS晶体管。

5.根据权利要求1~2所述的像素驱动电路,其特征在于,所述第一数据信号的电压值大于所述第一电压值。

6.一种像素驱动电路的驱动方法,其特征在于,采用如权利要求1~5中任一项所述的像素驱动电路执行所述驱动方法,所述驱动方法包括:

在第一时间段通过向充电子电路输入预充电信号导通所述充电子电路;

已导通的所述充电子电路通过输入的第一数据信号对稳压子电路进行预充电,预充电后所述稳压子电路的第一输入端的第一电压值小于或等于用于导通所述稳压子电路的阈值电压。

7.根据权利要求6所述的像素驱动电路的驱动方法,其特征在于,还包括:

在第二时间段通过向所述充电子电路输入扫描信号导通所述充电子电路;

已导通的所述充电子电路通过输入的第二数据信号对所述稳压子电路进行显示充电,以导通所述稳压子电路并开启像素晶体管,所述像素晶体管开启后所述稳压子电路的第一输入端的第二电压值等于所述第二数据信号的电压值。

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