[发明专利]滤光片

权利要求书

1.一种滤光片，其特征在于，所述滤光片包括基底和设置在所述基底的第一面外侧的第一膜系，所述第一膜系包括高折射率膜层、低折射率膜层和匹配膜层；

所述匹配膜层的材料包括氮掺杂硅锗混合物，所述氮掺杂硅锗混合物的化学式为Si_xGe_1-xN_y，其中，0≤x≤1，0<y≤0.1，在780nm至3000nm波长范围内，所述高折射率膜层的折射率大于所述低折射率膜层的折射率，所述匹配膜层的折射率不等于其相邻的膜层的折射率。

2.根据权利要求1所述的滤光片，其特征在于，对应780nm至1200nm波长范围，所述滤光片具有通带，当光线的入射角由0°变为30°时，所述通带的中心波长的漂移量不大于16nm。

3.根据权利要求2所述的滤光片，其特征在于，所述滤光片的通带具有对应p光的中心波长和对应s光的中心波长，当光线的入射角为30°时，对应p光的中心波长与对应s光的中心波长之间的漂移不大于5nm。

4.根据权利要求2所述的滤光片，其特征在于，所述滤光片的通带的平均透过率不小于93％。

5.根据权利要求1所述的滤光片，其特征在于，对应780nm至1200nm波长范围内，所述高折射率膜层的折射率大于3，所述低折射率膜层的折射率小于3，所述匹配膜层的折射率位于1.7至4.5之间。

6.根据权利要求1所述的滤光片，其特征在于，所述氮掺杂硅锗混合物还可进一步掺杂氢，化学式为Si_xGe_1-xN_y:H_z，其中，0≤x≤1，0<y≤1，z≤1，其至少一部分为非晶态氢化掺氮硅锗混合物α-Si_xGe_1-xO_y:H_z。

7.根据权利要求1所述的滤光片，其特征在于，所述氮掺杂硅锗混合物还包括辅助成分，所述辅助成分包括氧、硼或磷中的一种或多种，所述辅助成分中各原子数与硅原子数之比小于10％。

8.根据权利要求1所述的滤光片，其特征在于，所述高折射率膜层的材料包括Si_wGe_1-w:H_v，其中，0≤w≤1，0≤v≤1。

9.根据权利要求1所述的滤光片，其特征在于，所述低折射率膜层的材料包括SiO₂、Si₃N₄、Ta₂O₅、Nb₂O₅、TiO₂、Al₂O₃、SiCN、SiC中的一种或多种的混合物。

10.根据权利要求4所述的滤光片，其特征在于，所述基底还包括与所述第一面背对的第二面，所述滤光片还包括设置在所述基底的第二面外侧的第二膜系；

所述第二膜系为长波通膜系或宽带通膜系，所述第一膜系为窄带通膜系；所述第二膜系的通带覆盖所述第一膜系的通带。

11.根据权利要求10所述的滤光片，其特征在于，所述第一膜系的厚度和所述第二膜系的厚度之和小于12μm。

12.根据权利要求10所述的滤光片，其特征在于，所述第二膜系为长波通膜系，对应350nm至1200nm波长范围内，所述窄带通膜系具有通带，所述长波通膜系具有通带和截止带，所述长波通膜系的通带覆盖所述窄带通膜系的通带；

所述长波通膜系的截止带的截止度不低于所述窄带通膜系的对应波段的截止度。