[发明专利]一种半导体光放大器在审

专利信息
申请号: 201910487320.7 申请日: 2019-06-05
公开(公告)号: CN110187589A 公开(公告)日: 2019-08-30
发明(设计)人: 吴昊;张星;宁永强 申请(专利权)人: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
主分类号: G02F1/39 分类号: G02F1/39;G02B1/11
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王雨
地址: 130033 吉林省长春市*** 国省代码: 吉林;22
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摘要:
搜索关键词: 放大级 波导段 扩宽 半导体光放大器 单片集成 放大功率 光放大器 放大 正整数 级联 饱和输出功率 高输出功率 传输 多级放大 高增益 输出端 输出光 输入端 输入光 耦合 波导 递进 输出
【权利要求书】:

1.一种半导体光放大器,其特征在于,包括依次级联的第一放大级至第N放大级,N为大于1的正整数,第一放大级至第N放大级为单片集成式结构,所述第一放大级用于将输入光耦合入所述光放大器内,并对光放大功率而传输给第二放大级;

第i放大级包括扩宽波导段和放大波导段,所述扩宽波导段用于将前一放大级的输出光传输给所述放大波导段,所述扩宽波导段的输出端宽度大于输入端宽度,所述放大波导段用于将光放大功率而输出,i为大于1小于等于N的正整数。

2.根据权利要求1所述的半导体光放大器,其特征在于,在所述第一放大级的输入端腔面制备有用于减少输入光在输入端腔面反射的光学减反膜。

3.根据权利要求1所述的半导体光放大器,其特征在于,在所述第N放大级的输出端腔面制备有用于减少光在输出端腔面反射的光学减反膜。

4.根据权利要求1所述的半导体光放大器,其特征在于,在相邻的两个放大级的连接位置制备有用于隔离驱动电流的隔离带。

5.根据权利要求4所述的光放大器,其特征在于,所述隔离带为采用离子束注入法或者刻蚀法制备的隔离带。

6.根据权利要求1所述的半导体光放大器,其特征在于,在所述放大波导段的两侧分别制备有用于削弱高阶模旁瓣光功率的光栅结构。

7.根据权利要求1-6任一项所述的半导体光放大器,其特征在于,向同一放大级的所述扩宽波导段和所述放大波导段分别施加的驱动电流的大小不相同,在同一放大级的所述扩宽波导段和所述放大波导段的连接位置制备有用于隔离驱动电流的隔离带。

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