[发明专利]存储器及其形成方法

说明书

本发明涉及一种存储器及其形成方法，所述存储器包括：第一基底，所述第一基底包括第一衬底、形成于所述第一衬底正面上的存储阵列以及覆盖所述存储阵列的第一介质层；第二基底，所述第二基底包括第二衬底、形成于所述第二衬底正面上的逻辑电路以及覆盖所述逻辑电路的第二介质层；金属散热线，形成于所述第一介质层和/或第二介质层内；所述第一基底和第二基底堆叠键合连接。所述存储器的存储密度提高。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种存储器及其形成方法。

背景技术

DRAM(动态随机存取存储器，Dynamic Random Access Memory)技术属于集成电路重要的存储技术，为了提高DRAM存储器的密度和容量，DRAM工艺也越来越复杂，不断地缩小器件的尺寸，所带来的器件的负效应也越来越大。

现有的提高DRAM密度和容量的方法都是在一片晶圆上同时形成逻辑器件和存储器件，这样势必需要在有限的晶圆面积上不断缩小器件尺寸，增加工艺复杂度以及器件尺寸缩小带来的负效应。

如何进一步提高DRAM的密度和容量，且避免负效应，是目前亟待解决的问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，提供一种存储器及其形成方法，提高存储器的存储密度。

为了解决上述问题，本发明提供了一种存储器，包括：第一基底，所述第一基底包括第一衬底、形成于所述第一衬底正面上的存储阵列以及覆盖所述存储阵列的第一介质层；第二基底，所述第二基底包括第二衬底、形成于所述第二衬底正面上的逻辑电路以及覆盖所述逻辑电路的第二介质层；金属散热线，形成于所述第一介质层和/或所述第二介质层内；所述第一基底和所述第二基底堆叠键合连接。

可选的，所述存储阵列为DRAM存储阵列。

可选的，所述第一介质层和所述第二介质层内均形成有互连结构，所述互连结构包括若干层互连线。

可选的，所述金属散热线与至少一层所述互连线位于同一层。

可选的，所述金属散热线至少一端延伸至所述存储器边缘，与所述存储器外部之间通过一保护层隔离，所述保护层覆盖所述金属散热线端部。

可选的，所述第一介质层和所述第二介质层表面相对键合。

可选的，还包括：贯穿所述第二基底与所述第一基底内互连结构连接的深通孔连接部。

可选的，还包括：位于所述第二基底背面且连接所述深通孔连接部的焊垫，以及覆盖所述第二基底背面且与所述焊垫表面齐平的保护层。

可选的，所述第一衬底背面和第二衬底背面相对键合连接；或者所述第一介质层与所述第二衬底的背面相对键合连接；或者所述第二介质层与所述第一衬底的背面相对键合连接。

为解决上述问题，本发明的技术方案还提供一种存储器的形成方法，包括：提供第一基底，所述第一基底包括第一衬底、形成于所述第一衬底正面上的存储阵列以及覆盖所述存储阵列的第一介质层；提供第二基底，所述第二基底包括第二衬底、形成于所述第二衬底正面上的逻辑电路以及覆盖所述逻辑电路的第二介质层，所述第一介质层和/或所述第二介质层内形成有金属散热线；将所述第一基底和所述第二基底堆叠键合连接。

可选的，所述存储阵列为DRAM存储阵列。

可选的，所述第一介质层和第二介质层内均形成有互连结构，所述互连结构包括若干层互连线，以及各层互连线之间的导电柱。

可选的，在形成任一层或多层所述互连线的同时形成所述金属散热线。

可选的，所述金属散热线至少一端延伸至所述存储器边缘，与所述存储器外部之间通过一保护层隔离，所述保护层覆盖所述金属散热线端部。