[发明专利]一种二维高导电率氢化NbSe2

权利要求书

1.一种二维高导电率氢化NbSe₂纳米片的制备方法，其特征在于，包括：

A）将层状NbSe₂块材浸入锂源溶液反应，得到前驱物Li_xNbSe₂；所述反应温度为80~90℃；所述反应时间为1~12h；所述反应为加磁搅拌下反应；所述锂源为正丁基锂；所述锂源溶液的溶剂为己烷；

B）将Li_xNbSe₂分散在去离子水中，通惰性气体保护，超声剥离得到分散的超薄二维高导电率氢化H_xNbSe₂纳米片; 所述超声剥离具体为：在冰浴中超声剥离；所述超声的功率为50~200 W；所述超声的时间为10~60min。

2.根据就权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤B）所述惰性气体为氮气、氦气和氩气中的一种。

3.根据就权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述二维高导电率氢化H_xNbSe₂纳米片的尺寸为1~50μm，厚度小于1nm。

4.一种二维高导电率氢化NbSe₂纳米片，其特征在于，由权利要求1~3任意一项所述的制备方法制备得到。

5.一种二维高导电率氢化NbSe₂纳米薄膜的制备方法，其特征在于，包括：

将权利要求1~3任一项制备方法制备得到的二维高导电率氢化NbSe₂纳米片通过真空抽滤的方式组装，得到二维高导电率氢化NbSe₂纳米薄膜。

6.根据就权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述真空抽滤的方式组装具体为：

将超薄H_xNbSe₂纳米片的分散液滴在带有纤维素膜上，同时采用真空泵抽气，使得溶剂迅速抽走，纳米片层层组装成二维高导电率氢化NbSe₂纳米薄膜。

7.根据就权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述纤维素膜的孔径为0.1~0.3μm；所述组装得到的二维高导电率氢化NbSe₂纳米薄膜厚度为50~500nm。

8.一种二维高导电率氢化NbSe₂纳米薄膜，其特征在于，由权利要求5~7任意一项所述的制备方法制备得到。

9.权利要求1~3任意一项所述的制备方法制备得到的二维高导电率氢化NbSe₂纳米片或权利要求5~7任意一项所述的制备方法制备得到的二维高导电率氢化NbSe₂纳米薄膜在低维器件的电输运或催化领域的应用。