[发明专利]涂敷膜形成装置和涂敷膜形成装置的调整方法

权利要求书

1.一种涂敷膜形成装置，其特征在于，包括：

送入送出部，其送入送出通过供给涂敷液而形成涂敷膜的圆形的基片；

周缘涂敷单元，其基于用于控制所述基片的周缘部被所述涂敷膜覆盖的状态的处理参数，沿该基片的周缘部供给所述涂敷液来形成环状的所述涂敷膜；

拍摄单元，其对形成有所述环状的涂敷膜的基片进行拍摄；

在所述送入送出部、所述涂敷单元与所述拍摄单元之间输送所述基片的输送机构；和

控制部，其输出控制信号来进行第一步骤，在所述第一步骤中，为了调整装置的动作，基于各个值不同的所述处理参数，在要形成所述涂敷膜的多个调整用的所述基片上形成了所述环状的涂敷膜后，由所述拍摄单元对所述调整用的基片进行拍摄，并且，

所述控制部基于所述各基片的拍摄结果，来决定用于在调整所述装置的动作后由所述涂敷单元在所述基片形成所述环状的涂敷膜的所述处理参数的值。

2.如权利要求1所述的涂敷膜形成装置，其特征在于：

所述周缘涂敷单元包括：

保持所述基片并使该基片旋转的基片保持部；和

用于对旋转的所述基片的周缘部排出所述涂敷液的涂敷液供给喷嘴，

所述处理参数包括供给所述涂敷液时的所述基片的转速或者从所述涂敷液供给喷嘴排出的所述涂敷液的量。

3.如权利要求1或2所述的涂敷膜形成装置，其特征在于：

所述控制部，在所述拍摄结果中从由所述涂敷膜覆盖基片的状态为正常的基片的处理中使用的处理参数的值中，去掉最接近由所述涂敷膜覆盖基片的状态为异常的基片的处理中使用的处理参数的值之值，来决定该处理参数的值。

4.如权利要求1至3中任一项所述的涂敷膜形成装置，其特征在于：

设置有在进行所述第一步骤前设定所述涂敷液的粘度的设定部，

在所述第一步骤中，使用与设定的粘度相应的值的所述处理参数。

5.如权利要求1至4中任一项所述的涂敷膜形成装置，其特征在于：

所述控制部输出控制信号，以使得基于为了对所述周缘涂敷单元交接所述基片而预先设定的所述输送机构的位置数据，对该周缘涂敷单元交接该基片，并且，

所述控制部执行第二步骤，在所述第二步骤中，基于由所述拍摄单元对调整用的所述基片的拍摄结果，对所述输送机构的位置数据进行再设定，其中，所述调整用的所述基片为使用由所述第一步骤决定的处理参数而形成有所述涂敷膜的基片。

6.如权利要求5所述的涂敷膜形成装置，其特征在于：

所述周缘涂敷单元包括：

所述基片保持部；所述涂敷液供给喷嘴；和移动机构，其使所述涂敷液供给喷嘴移动，以使涂敷液的供给位置在旋转的所述基片的靠中心的供给位置与靠周缘的供给位置之间改变，

所述控制部输出控制信号以使得基于预先设定的关于涂敷液的供给位置的数据来供给所述涂敷液，并且，

所述控制部执行第三步骤，在所述第三步骤中，在执行所述第二步骤后，基于由所述拍摄单元对形成有所述环状的涂敷膜的调整用的所述基片的拍摄结果，对关于所述涂敷液的供给位置的数据进行再设定。

7.如权利要求6所述的涂敷膜形成装置，其特征在于：

所述基片是在周缘部具有斜面部的半导体晶片，

所述周缘涂敷单元具有涂敷膜除去用喷嘴，所述涂敷膜除去用喷嘴对所述涂敷膜形成后的旋转的所述基片的所述斜面部排出用于除去所述涂敷膜的除去液，来除去所述环状的涂敷膜的外缘部。

在所述拍摄单元中，对除去了所述涂敷膜的外缘部的基片进行拍摄，

所述控制部输出控制信号以使得基于预先存储的所述除去液排出时的基片的转速而使该基片旋转，并且，

所述控制部执行第四步骤，在所述第四步骤中，在执行所述第三步骤后，基于由所述拍摄单元对形成有所述环状的涂敷膜的调整用的所述基片的拍摄结果，求取涂敷膜的外缘相对于所述斜面部的内缘的高度尺寸，判断求出的高度尺寸是否为容许值，当所述求出的高度尺寸不为容许值时，基于求出的高度尺寸以及预先生成的表示所述高度尺寸与基片的转速的关系的参考数据，对供给所述除去液时的基片的转速进行再设定。